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行业领先!带温度保护、超高精度过流检测的单节锂电池保护芯片

德微辰芯 来源:jf_48033273 作者:jf_48033273 2024-09-05 11:56 次阅读

引言

在当今快节奏的科技生活中,随着便携式电子设备已成为我们日常不可或缺的一部分,这些设备对锂电池续航能力和安全性的要求也越来越高,《便携式电子产品锂离子电池和电池组―安全要求》(GB 31241-2014)中明确强调了温度保护和精准的过流保护的重要性。深圳市德微辰芯技术有限公司立足于最新的市场需求,由原TI技术专家、现德微辰芯CTO带队与晶圆厂共同合作,通过不断的技术创新,已成功设计并量产出两款能助力电池符合国标(GB31241-2022),带温度保护的单节锂电池保护芯片——DV6011(过流精度为±0.5mv,精密电阻检流型)、DV6205(MOS内阻检流型)。产品可应用于智能手机数码产品、智能穿戴、便携式设备等市场。


“集顶尖科技,性能至上”——DV6011(精密电阻检流型)

核心亮点

  • 高精度高低温保护 :DV6011特别设计了精准的温度监测机制,可实现高温充电保护、高温充放电保护、低温充电保护、低温充放电保护,保护精度已达业内头部水平± 3℃
  • 超高精度的过流检测 DV6011创新性的开发一种新型的低电压检测技术,内部增加补偿电路,使过流精度一直处于±0.5mv范围内 精度较日系竞品提升30% ,极大降低了LPS等项目设计难度。低检测电压可使用更低的检流电阻,解决快充的发热问题。
  • 超低功耗: DV6011采用业内先进的“亚阈值”控制技术,典型耗电仅为 2uA, 保证内部模块功能前提下降低耗电,从而减少了整个芯片的功耗,已达到行业领先水平。
  • IC方案: DV6011可实现双IC保护(主、次保护)方案,在快速充电过程中更安全、更全面守护电池安全。
  • ESD防护强: DV6011通过优化ESD泄放管结构实现了性能与面积的最佳平衡,同时在“ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017”ESD测试标准下,DV6011的 HBM模式可达±4kV(Class 3A) ,远超消费品±2kV的标准,极大降低生产时因ESD损坏的概率,提高产线良率。
  • 外部控制: DV6011提供外部控制引脚CTL,可以通过在CTL上添加不同的信号进行充放电控制,极大方便用户进行产品调试和产品特色设计(细节需查阅最新DV6011规格书)。

图片1 DV6011应用线路图.png

“DV6011青春版”——DV6205(MOS内阻检流型)

核心亮点

  • DV6025 在保留DV6011高精度高低温保护、超低功耗、ESD防护核心亮点基础上,根据客户需求增加了运控制功能,并通过改良工艺解决了实际生产中常遇到的休眠问题。
  • 船运功能: DV6205提供的“船运功能”,可有效降低运输中的整体消耗电流,非常利于小容量锂电池和需长途运输的应用环境。同时,DV6205 的船运功能增加了防误触发的判断机制,可以极大概率避免产线生产时误进入船运模式的情况。
  • 解决生产问题:DV6205通过在芯片内部添加防护层和优化芯片生产制造工艺,极大降低了生产时芯片异常休眠概率,根本上解决了产线生产中因测试、高温等环境下产生的过充精度漂移问题。
    图片2 DV6205应用线路图.png

名词解释:

亚阈值:MOSFET的一种工作状态。我们一直假设:当栅源电压Vgs下降到低于Vth时器件会突然关断。实际上当MOSFET的Vgs≈Vth,一个“弱”的反型层仍然存在,并有一些源漏电流①。该种工作状态使得MOSFET获得更大的增益,非常利于低电压,低功耗的应用。

参考文献

[1]毕查德•拉扎维. 模拟CMOS集成电路设计[M]. 西安: 西安交通大学出版社, 2003

审核编辑 黄宇

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