SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一项重大技术突破，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位。

据悉，这款创新的DDR5 DRAM产品将在年内完成量产准备，并计划于明年正式投入市场，主要应用于对性能要求极高的数据中心领域。其运行速度高达8Gbps，相比前一代产品实现了11%的速度提升，同时能效也显著提升超过9%，为用户带来更加高效、节能的数据处理体验。

SK海力士此次推出的1c DDR5 DRAM不仅展现了公司在技术研发上的深厚实力，也为全球数据中心市场的未来发展注入了新的活力。随着技术的不断进步，SK海力士将继续引领半导体存储技术的革新，推动行业向更高水平迈进。