新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列
新品
600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飞凌最新推出的600V CoolMOS 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展，在全球范围内树立了技术和性价比标准。
CoolMOS 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS 7产品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGaN和CoolSiC宽禁带半导体技术的有力补充。
CoolMOS 8的创新之处在于，该系列所有器件中都集成了快速体二极管，使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。
产品特点
世界一流的RDS(on)*A
集成快速体二极管
出色的换流坚固性
先进的互连技术
7mΩ开始，渐进式产品组合
包括顶部冷却封装系列
应用价值
效率比C7提高0.1%，比P7提高0.17%
易于使用和快速设计
低振荡倾向
Rth降低14-42%
简化的产品组合
系统级创新
应用领域
服务器、通信电源
超级固态开关解决方案（继电器、断路器）
电动汽车充电、太阳能和储能系统
UPS
工业电源SMPS
照明
住宅空调PFC、冰箱压缩机
充电器/适配器
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
英飞凌
+关注
关注
66文章
2088浏览量
137732 -
MOSFET
+关注
关注
142文章
6919浏览量
211648 -
MOS
+关注
关注
31文章
1198浏览量
92866
发布评论请先 登录
相关推荐
LN4203南麟600V 半桥栅极驱动器
LN4203 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的600V 高压半桥驱动器，具有高低边输出，用来驱动半桥电路中的两个高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的输入信号兼容 CMOS
发表于 09-05 15:29
•0次下载
英飞凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET
英飞凌推出的CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先进的温度传感器技术，专为工业和汽车领域设计，显著提升了结温测量的精准度与稳定性。这一创新不仅简化了温度监测流程，还增强了功能安全性，为低频大电流开关应用
英飞凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飞凌再次引领行业潮流，最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，以其卓
英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革
定义系统集成标准，使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。在英飞凌，CoolMOS8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术，
英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列， 适用于高成本效益的先进电源应用
【 2024 年 6 月 26 日 ， 德国慕尼黑 讯 】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（
发表于 06-26 18:12
•303次阅读
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（
发表于 06-24 16:18
•1025次阅读
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术，标志着第四代600V E
Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封装的第四代600 VE系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率
1kW 600V工业电机控制电源板SECO-1KW-MCTRL-GEVB数据手册
电子发烧友网站提供《1kW 600V工业电机控制电源板SECO-1KW-MCTRL-GEVB数据手册.rar》资料免费下载
发表于 04-25 15:04
•1次下载
SA2601A马达驱动600V单相双NMOS半桥栅极驱动芯片
深圳市三佛科技有限公司供应SA2601A马达驱动600V单相双NMOS半桥栅极驱动芯片
SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片，专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT
发表于 04-01 17:36
新闻 | 采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET
小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET *1 ，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 R6004END4
罗姆ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1
美格纳推出第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管
美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ
工商网监
评论