新品
600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飞凌最新推出的600V CoolMOS 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展,在全球范围内树立了技术和性价比标准。
CoolMOS 8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术,旨在取代现有的高/低功率开关电源(SMPS)的CoolMOS 7产品系列(包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7)。它也是CoolGaN和CoolSiC宽禁带半导体技术的有力补充。
CoolMOS 8的创新之处在于,该系列所有器件中都集成了快速体二极管,使得设计人员能将该系列产品用于目标应用中的所有主要拓扑。
产品特点
世界一流的RDS(on)*A
集成快速体二极管
出色的换流坚固性
先进的互连技术
7mΩ开始,渐进式产品组合
包括顶部冷却封装系列
应用价值
效率比C7提高0.1%,比P7提高0.17%
易于使用和快速设计
低振荡倾向
Rth降低14-42%
简化的产品组合
系统级创新
应用领域
服务器、通信电源
超级固态开关解决方案(继电器、断路器)
电动汽车充电、太阳能和储能系统
UPS
工业电源SMPS
照明
住宅空调PFC、冰箱压缩机
充电器/适配器
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
600V CoolMOS S7T集成温度传感器,提高了结温测量的精度和鲁棒性,同时容易使用。该器件针对低频和大电流开关应用进行了优化,它是固态继电器、固态断路器和SMPS中有源整流电路的理想选择。集成温度传感器提供CoolMOS
发表于 11-13 11:36
•123次阅读
)
产品简介:高压超结工艺,效率更高、更可靠,适用于600V以上高压应用领域,行业前沿拓展产品。
应用场景:PC电源开关、电池、逆变器等。
此为RU15P12C的部分参数 可无偿分享
原厂一级代理可为您答疑解惑
行业内率先通过 ISO9001、ISO14001质量体系认证的高新技术企业。
发表于 09-23 17:07
电子发烧友网站提供《适用于600V GaN功率级的QFN12x12封装的热性能.pdf》资料免费下载
发表于 09-21 10:18
•0次下载
LN4203 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的600V 高压半桥驱动器,具有高低边输出,用来驱动半桥电路中的两个高压大功率 MOSFET 或 IGBT。LN4203 的输入信号兼容 CMOS
发表于 09-05 15:29
•1次下载
英飞凌推出的CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET,集成了先进的温度传感器技术,专为工业和汽车领域设计,显著提升了结温测量的精准度与稳定性。这一创新不仅简化了温度监测流程,还增强了功能安全性,为低频大电流开关应用
发表于 09-03 14:51
•412次阅读
英飞凌再次引领行业潮流,最新推出的600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列,以其卓
发表于 09-03 14:50
•467次阅读
定义系统集成标准,使其在广泛的电力电子应用中能够实现更高功率密度和效率。在英飞凌,CoolMOS8的推出意味着这些投入已经取得了成效。它是一项先进的MOSFET技术,
发表于 07-31 08:14
•303次阅读
【 2024 年 6 月 26 日 , 德国慕尼黑 讯 】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结(
发表于 06-26 18:12
•446次阅读
理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(
发表于 06-24 16:18
•1096次阅读
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术,标志着第四代600V E
发表于 05-14 15:33
•606次阅读
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率
发表于 05-10 11:47
•896次阅读
电子发烧友网站提供《1kW 600V工业电机控制电源板SECO-1KW-MCTRL-GEVB数据手册.rar》资料免费下载
发表于 04-25 15:04
•1次下载
深圳市三佛科技有限公司供应SA2601A马达驱动600V单相双NMOS半桥栅极驱动芯片
SA2601A是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT
发表于 04-01 17:36
小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET *1 ,新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 R6004END4
发表于 12-12 12:10
•685次阅读
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET*1
发表于 12-08 17:38
•581次阅读
评论