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独立FRAM存储器方案设计,特点有哪些?

加贺富仪艾电子 来源:互联网 作者:佚名 2017-09-17 16:34 次阅读

FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体可提供采用串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产品。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢?

串行接口存储器的产品阵容有16Kbit至4Mbit的SPI接口产品,以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品。电源电压除主要的3.3V工作产品外,正在扩充1.8V工作产品。封装除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外,还提供可穿戴设备用SON(Small Outline Non-leadedpackage)及WL-CSP(Wafer Level Chip Size Package)等超小型封装产品。

与其他非易失性存储器相比,串行接口存储器的优势在于——写入快、读写耐久性高、功耗低。

*1 :当工作温度低于+85℃时,数据保持时间可以延长,详细请参考数据手册。

*1 :当工作温度低于+85℃时,数据保持时间可以延长,详细请参考数据手册。

*2 :满足SPI以及Quad SPI接口

*3 :高速读取模式时,可实现最大40MHz操作。

*4 :有二进制计数器功能

*5 :双SPI模式时,可实现最大7.5MHz操作。

并行接口存储器

并行接口存储器为采用TSOP或SOP封装的256Kbit至4Mbit的产品,工作时的电源电压为3.3V,但MB85R4M2T能够在1.8V-3.6V的大范围内进行工作。封装方式为能够与SRAM兼容的TSOP或SOP。

在SRAM及使用数据保持电池的应用中,并行接口存储器被作为进一步降低能耗或减少电池的解决方案。

*1 :当工作温度低于+55℃或+85℃时,数据保持时间可以延长,详细请参考数据手册。

未来富士通还将通过技术来发来提高一些技术规格,如工作电压和存取速度,并提供多种产品。富士通半导体能够利用其它公司不能提供的富士通独有技术,提供广泛的单独FRAM产品。

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原文标题:独立FRAM存储器的那些特点……

文章出处:【微信号:Fujitsu_Semi,微信公众号:加贺富仪艾电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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