差分晶振电气参数简介

概念

差分晶振全称是Differential Output Crystal Oscillator，高频差分多路输出的振荡器。差分晶振是一种输出差分信号的有源晶振，差分信号输出2路相位完全相反的信号，从而消除2个信号的共模噪声，产生一个更高稳定性能的系统。差分晶振具有抗噪能力强、线路衰减影响较小、低抖动、低相位噪声、低功耗等特性，差分传输技术是适用于在长距离以更高数据传输速率信号应用上的理想输出方式。

主要应用：在千兆以太网、光纤、SONET/SDH、服务器、网络、光模块等。

电气参数

标称频率

Nominal Frequency

晶振振荡产生的周期性信号的频率，通常用[MHz]表示。

工作电压

Operating Voltage

晶振能够正常工作的电压范围。

在这个范围内，晶振能够提供稳定的振荡信号。

超出这个范围，晶振的频率稳定度会受到电源电压变动和负载变动的影响，甚至可能无法正常工作，通常以[V]为单位。

封装

Holder Type

常用的尺寸3.2×2.5mm,5.0×3.2mm,7.0×5.0mm

常温频差

Frequency Stability

晶振在实际工作中的频率与标称频率在25℃±2℃时的温度下之间的频率偏差，通常以[ppm]为单位。

温度频差

Temperature Drift

晶振在不同温度下谐振工作稳定的频率与25℃下的最大偏差值。这一特性是衡量晶振在温度变化时频率变化程度的指标。较低的频率温度稳定度意味着晶振在不同温度条件下更为稳定，对于一些对频率精确性要求较高的应用，如通信、导航、精密测量等，这是一个重要的性能指标。通常以[ppm]为单位。

消耗电流

Current Consumption

晶振在指定工作电压下稳定工作时消耗的电流。对功耗有严格要求的应用中，电流消耗是一个关键参数。通常以[mA]为单位。

输出波形

Output

晶振在电路中的输出波形。常见的输出波形模式有LVPECL、LVDS、HCSL、CML等。

工作温度范围

Operating temperature Range

晶振能正常工作的温度范围。

通常在：

-40℃~+85℃，-40℃~+105℃，-40℃~+125℃

存储温度范围

Storage Temperature Range

晶振在未使用的情况下，存储的温度范围。通常在-55℃~+125℃。

占空比

Duty Cycle

在一个频率周期内高低电平所占的比例。单位用[%]表示。

上升/下降时间

RISE/Fall Time

晶振输出电平20% / 80%VDD所需要的时间，单位用[nS]表示。

起振时间

Start-up Time

晶振从上电到振荡工作时所需要的时间；起振时间主要由晶体的谐振电阻与负性阻抗共同决定，同频率晶体的体积越小，谐振电阻就越大；负性阻抗大小由振荡 IC 和负载电容CL决定，负载电容与负性阻抗大小成反比。需快速工作的产品要求晶振的起振时间越小，起振时间是一项重要的参数。单位用[mS]表示。

使能控制

Enable Control

使能脚可以控制晶振的频率输出。输出使能OE是高电平1或者悬空，频率输出；输出使能OE是低电平0，则无频率输出。

相位噪声

Phase Noise

相位噪声是振荡器信号周围噪声频谱的频域视图，描述的是振荡器的频率短期稳定性。频率稳定性可以分为两个部分：长期稳定性和短期稳定性。长期稳定性（如精度、温度频差和老化）以小时、天、月或年为单位表示。短期稳定性〈相位噪声）则在几秒甚至更短时间内发生，短期变化对系统影响更大。单位用[dBc/Hz]表示。

均方根抖动

RMS Phase Jitter

0.3pSec Max.12KHz～20MHz ，单位用[pSec]表示

年老化率

Aging

在所有其它条件都恒定不变的情况下，振荡器的频率仍会随着时间推移而发生的漂移，这种长期漂移是由晶体元件和振荡电路的其它元器件缓慢变化造成的，即晶振随时间变化而引起的频率变化量。可用日老化(ppb/天)和年老化(ppm/年)表示。

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