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碳化硅功率器件的原理简述

国晶微第三代半导体碳化硅SiC 来源:国晶微第三代半导体碳化 2024-09-11 10:47 次阅读

随着科技的飞速发展,电力电子领域也迎来了前所未有的变革。在这场变革中,碳化硅(SiC)功率器件凭借其独特的性能优势,逐渐成为业界关注的焦点。本文将深入探讨碳化硅功率器件的原理、应用、优势以及未来的发展趋势。

一、碳化硅功率器件的原理

碳化硅功率器件是一种基于碳化硅材料的半导体器件,其基本结构包括P型和N型两个导电类型。通过在碳化硅基底上制备PN结或其他特殊结构,碳化硅功率器件实现了电压控制和电流开关的作用。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件的工作原理基于PN结的整流作用和肖特基势垒降低效应。当正向偏置时,PN结处于导通状态,电流可以通过欧姆接触层流入源/漏电极中;当反向偏置时,PN结处于截止状态,电流无法通过欧姆接触层,此时碳化硅功率器件的输出电压等于输入电压减去漏电流所产生的电压降。

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二、碳化硅功率器件的应用

碳化硅功率器件具有高温、高频、高效等优点,因此在多个领域得到了广泛应用。

电动汽车:在电动汽车领域,碳化硅功率器件被广泛应用于电池管理系统、电机驱动系统等关键部位。由于电动汽车对电池管理系统的要求极高,需要能够承受高温、高电压等恶劣环境,而碳化硅功率器件正好满足了这些要求。同时,碳化硅功率器件的高频特性也使得电机驱动系统更加高效、灵活。

新能源发电:在新能源发电领域,碳化硅功率器件同样发挥着重要作用。例如,在光伏发电系统中,碳化硅功率器件可以提高太阳能电池的转换效率,降低系统成本;在风力发电系统中,碳化硅功率器件可以提高风力发电机的并网性能和运行稳定性。

电网保护:在电网保护领域,碳化硅功率器件可以用于制造高压直流输电设备、柔性直流输电设备等关键设备。这些设备对于提高电网的输电能力、降低输电损耗具有重要意义。

三、碳化硅功率器件的优势

碳化硅功率器件之所以能够在多个领域得到广泛应用,主要是因为其具有以下优势:

高温性能优异:由于碳化硅材料的禁带宽度较宽,因此在高温下仍能保持良好的电学性能。这使得碳化硅功率器件在高温环境下仍能正常工作,提高了系统的可靠性和稳定性。

高频特性突出:碳化硅功率器件的载流子迁移率远高于硅材料,因此具有更高的工作频率。这使得碳化硅功率器件在高频应用中具有更高的效率和更低的损耗。

高耐压能力:碳化硅材料的击穿电场强度远高于硅材料,因此碳化硅功率器件具有更高的耐压能力。这使得碳化硅功率器件在高压应用中具有更高的安全性和可靠性。

节能环保:碳化硅功率器件的高效率和低损耗特性使得其在使用过程中能够减少能源消耗和减少热量产生,从而实现节能环保的目标。

四、碳化硅功率器件的未来发展趋势

随着新能源汽车、新能源发电等领域的快速发展,碳化硅功率器件的市场需求将持续增长。未来,碳化硅功率器件的发展趋势将主要体现在以下几个方面:

技术创新:随着材料科学、制造工艺等技术的不断进步,碳化硅功率器件的性能将得到进一步提升。例如,通过优化PN结结构、提高材料纯度等方式,可以进一步提高碳化硅功率器件的耐高温、高频等性能。

成本降低:随着碳化硅功率器件的产业化进程加速,其制造成本将逐渐降低。这将使得碳化硅功率器件在更多领域得到应用,推动电力电子行业的持续发展。

多元化应用:随着碳化硅功率器件的性能提升和成本降低,其应用领域将进一步拓展。例如,在智能电网、航空航天等领域,碳化硅功率器件将发挥更加重要的作用。

总之,碳化硅功率器件作为电力电子领域的新星,将在未来发挥越来越重要的作用。我们期待碳化硅功率器件在技术创新、成本降低和多元化应用等方面取得更多突破,为电力电子行业的持续发展注入新的动力。

无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。

公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。

公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。

特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrmsSOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200VSOIMOS/LIGBT集成芯片、100VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。

公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。

“国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

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原文标题:碳化硅功率器件:电力电子的新星

文章出处:【微信号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC,微信公众号:国晶微第三代半导体碳化硅SiC】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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