合盛硅业旗下宁波合盛新材料有限公司近日传来振奋人心的消息,其8英寸导电型4H-SiC(碳化硅)衬底项目已圆满实现全线贯通,标志着公司在第三代半导体材料领域的研发与生产迈出了历史性的一步,成功跻身行业顶尖行列。
历经五年的不懈努力与深耕细作,合盛新材料成功解锁了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料精细制备,到单晶碳化硅高效生长、再到高精度衬底加工的完整技术链条,逐一攻克了核心技术难题。这一成就不仅是企业技术实力的有力证明,更是对全球第三代半导体材料产业发展的重要贡献。
随着8英寸导电型4H-SiC衬底项目的全线贯通,合盛新材料将进一步巩固其在行业内的领先地位,推动第三代半导体材料的广泛应用,为新能源汽车、智能电网、5G通信等前沿领域的发展注入强劲动力。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
335文章
27926浏览量
224868 -
SiC
+关注
关注
30文章
2964浏览量
63263 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2890浏览量
49435
发布评论请先 登录
相关推荐
晶盛机电:6-8 英寸碳化硅衬底实现批量出货
【DT半导体】获悉,2月21日,晶盛机电接受机构调研时表示,在半导体行业持续复苏的背景下,下游客户逐步规划实施扩产,公司原有8-12英寸大硅片设备市场进一步提升,并在功率半导体设备和先进制程设备
环球晶宣布:6英寸碳化硅衬底价格趋于稳定
近日,环球晶董事长徐秀兰表示,主流6英寸碳化硅(SiC)衬底的价格已经稳定,但市场反弹仍不确定。中国台湾制造商正专注于开发8英寸
第四代半导体新进展:4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
生长4英寸导电型氧化镓单晶仍沿用了细籽晶诱导+锥面放肩技术,籽晶与晶体轴向平行于[010]晶向,可加工4
发表于 02-17 09:13
•490次阅读
镓仁半导体成功实现VB法4英寸氧化镓单晶导电掺杂
VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功实现

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响
高硬度和耐磨性,是研磨4H-SiC晶片的常用材料。磨料的形状、大小和分布都会影响研磨过程中的材料去除速率和晶片的表面质量。
材料去除速率:磨料的形状和大小直接影

又一企业官宣已成功制备8英寸SiC晶圆
近日,日本碍子株式会(NGK,下文简称日本碍子)在其官网宣布,已成功制备出直径为8英寸的SiC晶圆,并表示公司将于本月低在美国ICSCRM 2024展示8
全球掀起8英寸SiC投资热潮,半导体产业迎来新一轮技术升级
随着全球半导体产业的快速发展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期,8英寸SiC晶圆投资热潮更是席卷全球,各大半导体厂商纷纷加

国内8英寸SiC工程片下线!降本节奏加速
制造等产线扩张;另一部分是源自过去十多年时间里,SiC衬底尺寸从4英寸完全过渡至6英寸,加上良率的提升。 更大的
韩国首座8英寸SiC晶圆厂开建
韩国半导体产业迎来新里程碑。韩国贸易、工业和能源部近日宣布,本土半导体制造商EYEQ Lab在釜山功率半导体元件和材料特区正式开工建设韩国首座8英寸碳化硅(SiC)功率半导体工厂。该
杭州士兰与厦门半导体等联手投资8英寸SiC功率器件项目
本次合作四方预计将在位于厦门市海沧区的厦门士兰集宏半导体有限公司进行合资运营,主要目的是建造一座每月能生产6万片以SiC-MOSEFET为主导产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。
合肥世纪金芯签下2亿美元SiC衬底片大单,产能将大幅提升
据了解,世纪金芯近期在8英寸SiC衬底片领域取得重要突破,成功开发出可重复生长出4H晶型、直径大
新质生产力赋能高质量发展,青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备!
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过技术创新,在SiC键合衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8
Wolfspeed 8英寸SiC衬底产线一期工程!总投资超350亿
美国时间3月26日,Wolfspeed在官网宣布,他们的第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式,Wolfspeed总裁兼首席执行官 Gregg Lowe、参议员Tho

8英寸SiC衬底阵容加速发展 全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
近年来,随着碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个

评论