0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

合盛新材料8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-09-12 17:20 次阅读

合盛硅业旗下宁波合盛新材料有限公司近日传来振奋人心的消息,其8英寸导电型4H-SiC(碳化硅)衬底项目已圆满实现全线贯通,标志着公司在第三代半导体材料领域的研发与生产迈出了历史性的一步,成功跻身行业顶尖行列。

历经五年的不懈努力与深耕细作,合盛新材料成功解锁了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料精细制备,到单晶碳化硅高效生长、再到高精度衬底加工的完整技术链条,逐一攻克了核心技术难题。这一成就不仅是企业技术实力的有力证明,更是对全球第三代半导体材料产业发展的重要贡献。

随着8英寸导电型4H-SiC衬底项目的全线贯通,合盛新材料将进一步巩固其在行业内的领先地位,推动第三代半导体材料的广泛应用,为新能源汽车、智能电网5G通信等前沿领域的发展注入强劲动力。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27349

    浏览量

    218519
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    29

    文章

    2811

    浏览量

    62635
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    2759

    浏览量

    49045
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    天域半导体8英寸SiC晶圆制备与外延应用

    碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料之一,近20年来随着SiC材料加工技术的不断提升,其应用领域不断扩大。目前SiC
    的头像 发表于 12-07 10:39 336次阅读
    天域半导体<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b>晶圆制备与外延应用

    磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量有哪些影响

    高硬度和耐磨性,是研磨4H-SiC晶片的常用材料。磨料的形状、大小和分布都会影响研磨过程中的材料去除速率和晶片的表面质量。 材料去除速率:磨料的形状和大小直接影
    的头像 发表于 12-05 14:14 224次阅读
    磨料形貌及分散介质对<b class='flag-5'>4H</b>碳化硅晶片研磨质量有哪些影响

    碳化硅衬底,进化到12英寸

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸,并正在大规模往8英寸发展,在最上游的晶体、衬底,业界已经具备大量产能,8
    的头像 发表于 11-21 00:01 2387次阅读
    碳化硅<b class='flag-5'>衬底</b>,进化到12<b class='flag-5'>英寸</b>!

    又一企业官宣已成功制备8英寸SiC晶圆

    近日,日本碍子株式会(NGK,下文简称日本碍子)在其官网宣布,已成功制备出直径为8英寸SiC晶圆,并表示公司将于本月低在美国ICSCRM 2024展示8
    的头像 发表于 09-21 11:04 299次阅读

    全球掀起8英寸SiC投资热潮,半导体产业迎来新一轮技术升级

    随着全球半导体产业的快速发展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期,8英寸SiC晶圆投资热潮更是席卷全球,各大半导体厂商纷纷加
    的头像 发表于 06-12 11:04 419次阅读
    全球掀起<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b>投资热潮,半导体产业迎来新一轮技术升级

    国内8英寸SiC工程片下线!降本节奏加速

    制造等产线扩张;另一部分是源自过去十多年时间里,SiC衬底尺寸从4英寸完全过渡至6英寸,加上良率的提升。   更大的
    的头像 发表于 06-12 00:16 2927次阅读

    韩国首座8英寸SiC晶圆厂开建

    韩国半导体产业迎来新里程碑。韩国贸易、工业和能源部近日宣布,本土半导体制造商EYEQ Lab在釜山功率半导体元件和材料特区正式开工建设韩国首座8英寸碳化硅(SiC)功率半导体工厂。该
    的头像 发表于 06-07 10:06 677次阅读

    杭州士兰与厦门半导体等联手投资8英寸SiC功率器件项目

    本次合作四方预计将在位于厦门市海沧区的厦门士兰集宏半导体有限公司进行合资运营,主要目的是建造一座每月能生产6万片以SiC-MOSEFET为主导产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。
    的头像 发表于 05-22 09:16 452次阅读

    合肥世纪金芯签下2亿美元SiC衬底片大单,产能将大幅提升

    据了解,世纪金芯近期在8英寸SiC衬底片领域取得重要突破,成功开发出可重复生长出4H、直径大
    的头像 发表于 04-23 09:43 1130次阅读

    新质生产力赋能高质量发展,青禾晶元突破8英寸SiC衬底制备!

    4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通过技术创新,在SiC衬底的研发上取得重要进展,在国内率先成功制备了8
    的头像 发表于 04-14 09:12 899次阅读

    Wolfspeed 8英寸SiC衬底产线一期工程!总投资超350亿

    美国时间3月26日,Wolfspeed在官网宣布,他们的第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式,Wolfspeed总裁兼首席执行官 Gregg Lowe、参议员Tho
    的头像 发表于 03-27 15:58 987次阅读
    Wolfspeed <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>衬底</b>产线一期工程!总投资超350亿

    8英寸SiC衬底阵容加速发展 全球8英寸SiC晶圆厂将达11座

    近年来,随着碳化硅(SiC衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个
    的头像 发表于 03-08 14:24 1190次阅读
    <b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>衬底</b>阵容加速发展 全球<b class='flag-5'>8</b><b class='flag-5'>英寸</b><b class='flag-5'>SiC</b>晶圆厂将达11座

    浅谈SiC晶体材料的主流生长技术

    SiC晶体的扩径生长上比较困难,比如我们有了4英寸的晶体,想把晶体直径扩展到6英寸或者8英寸
    发表于 03-04 10:45 744次阅读
    浅谈<b class='flag-5'>SiC</b>晶体<b class='flag-5'>材料</b>的主流生长技术

    20+个汽车设计定点!该SiC企业再签供应商

    2023年5月,英飞凌与天科达签订了长期协议,以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天科达主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底,同时
    的头像 发表于 01-11 16:38 671次阅读
    20+个汽车设计定点!该<b class='flag-5'>SiC</b>企业再签供应商

    4H-SiC缺陷概述

    4H-SiC概述(生长、特性、应用)、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光学显微镜,TEM,SEM/散射光等表征方法。
    的头像 发表于 12-28 10:38 2767次阅读
    <b class='flag-5'>4H-SiC</b>缺陷概述