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米客方德SDNAND掉电测试与可靠性验证

AMY 来源:jf_10547009 作者:jf_10547009 2024-09-19 17:19 次阅读

SD NAND异常上下电测试的作用

SD NAND异常上下电测试是一项关键的测试步骤,对确保SDNAND在不同电源条件下的稳定性和可靠性至关重要。

通过模拟正常和异常电源情况,测试可以验证设备的电源管理功能、检测潜在错误和异常行为,并评估设备在电源波动或突然断电时的表现。此外,测试还有助于验证SD NAND在关键时刻的数据保存和恢复能力,防止数据损坏或丢失。

这项测试不仅有助于提高产品的质量和可靠性,还确保SD NAND符合制造商规定的性能标准,满足用户对数据完整性和设备稳定性的需求。总体而言,SD NAND异常上下电测试是保障存储设备正常运行的不可或缺的环节。

SD NAND异常上下电测试电路的搭建

在测试SD NAND的可靠性时,可以自己搭建一个简单的电路来对SD NAND进行异常上下电测试,
下面是以MK-米客方德工业级SD NAND芯片MKDV1GIL-AS为例搭建的建议测试电路。

wKgaombr7DuAb66wAAAi_I5F7Kg231.pngwKgZombr7BGARtuKAAZJ7iJoPAg239.png

以正点原子的STM32F103ZET6开发板作为控制信号输出,只需要STM32的一个IO口作为信号控制引脚,即可让接在继电器的负载端的SD NADN工作电路在工作时异常掉电。

这个方案是SD NAND直接接在读卡器上的,还可以设计成SD NAND接在单片机上的,这种需要两个单片机开发板,一个用来控制,一个用来正常工作,这种方案会更方便,也能实现更多的功能。

审核编辑 黄宇

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