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碳化硅JBS二极管 结势垒肖特基二极管 UIS前沿感性负载开关能力显著:开关损耗降低60%

Lemon 来源:jf_80856167 作者:jf_80856167 2024-09-26 17:32 次阅读

MOSFET,即金属氧化物半导体场效应晶体管,因其强大的性能和广泛的应用,成为现代电子技术的基石。在功率MOSFET领域,碳化硅的出现如同催化剂,推动着技术的革新。凭借其卓越的高温性能,碳化硅无惧极端环境,为电源逆变器等设备提供前所未有的效率提升。华芯邦不断推进MOSFET的发展,其多样的中高耐压产品线在低损耗、高速度方面表现尤为突出。同时,精巧的小封装设计,使得这些元件更适合各类应用场景。

碳化硅为什么会出现应用在市场上?

MOS二极管虽然是一种被动元件,但其在电路中的开关特性不可或缺,被广泛应用于日常电子设备的开关功能。碳化硅的强势崛起,无疑为电力电子领域带来了新的活力与挑战。传统的电子元件在125到150度的高温下往往无法承受而导致失效,而碳化硅却能在更高温的条件下维持稳定。这种材料被广泛应用于电力电子领域,特别是在工业逆变器、工程逆变器以及汽车逆变器中,碳化硅的出现使这些设备能够在更严苛的条件下仍然可靠运行。不仅如此,其应用范围甚至扩展到了航空航天、医疗设备以及通讯行业。这种革命性的材料为各行各业带来了创新的机遇,使得高温不再成为限制发展的瓶颈,而是推动科技革新的动力。

华芯邦科技已推出了以碳化硅为基础的MOSFET和碳化硅JBS二极管(结势垒肖特基二极管)

JBS是一种高性能的功率二极管,结合了肖特基二极管(SBD)和PIN二极管的特点,旨在满足高性能功率应用的需求。这其中的独特之处在于,我们的产品在市场上表现出显著的优势与亮点。我们在UIS能力,即前沿感性负载开关能力方面具有卓越的表现,这种能力意味着在开关过程中,设备能够高效地处理能量,其负载电流每平方交流可达到10~23安培。这将大大提高设备的能源利用效率,进一步优化整体性能。举个例子,一个体重100公斤和一个50公斤的人,100公斤可能揍两拳都无济于事,而50公斤一拳就被击倒。

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在这个情况下,华芯邦的碳化硅mos强调一种核心能力的关键作用——电源开关MOS的保护能力。短路可能由多种因素引发,如设备进水等。一旦发生短路,电器可能会烧毁甚至爆炸,无论是家中的电熨斗、吹风机,还是日常使用的手机充电器,这些设备一旦短路,开关MOS的保护机制显得尤为重要。因此,我们更需要具备高效短路保护能力的开关MOS,确保在短路发生时电器内部自动停止工作,而不是出现冒烟或爆炸现象。 相比之下,有些设备例如快充头插上却没有任何反应,这其实是因为它们内部已经启动了短路保护机制,这种情况反而是令人放心的表现,因为设备没有发生爆炸或起火,也没有出现变形或变色的现象。这时,mos管的UIS能力就显得尤为重要,UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指标。

在当今科技领域,华芯邦以其卓越的创新实力,持续引领前沿技术的发展浪潮。在功率器件模块的诸多优势中,电源开关MOS的保护能力尤为关键。这不仅提升了设备的整体性能,更为关键设备的长期稳定运行提供了坚实的保障。面对瞬息万变的科技进步,华芯邦深刻理解保护能力的重要性,不断优化设计,力求每一个细节都能经受住时间的考验。新一代的碳化硅MOSFET与碳化硅JBS二极管,凭借在额定导通电阻或电流下卓越的非嵌位感性负载开关(UIS)能力,彰显出华芯邦在技术壁垒上的不断突破。通过将创新科技与第三代半导体材料完美结合,华芯邦为未来的发展铺设了坚实的技术之路。

转载自:https://www.hotchip.com.cn/sic-jbs-uis/

审核编辑 黄宇

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