新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V
新品
第2代CoolSiC MOSFET 400V
CoolSiC MOSFET 400V G2将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。400V SiC MOSFET可在2电平和3电平硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。目标应用为人工智能服务器PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及D类放大器中的功率转换。
产品型号：
■IMBG40R011M2H
■IMBG40R015M2H
■IMBG40R025M2H
■IMBG40R036M2H
■IMBG40R045M2H
■IMT40R011M2H
■IMT40R015M2H
■IMT40R025M2H
■IMT40R036M2H
■IMT40R045M2H
产品特点
与650V SiC MOSFET相比，FOM更好
低Qfr值的快速换流二极管
RDS(on)温度系数小
栅极阈值电压VGS(th)=4.5V
可以单电源驱动VGSoff=0V
100%经过雪崩测试
开关速度可控性高
高dV/dt运行期间的低过冲
.XT互联技术
一流的热性能
应用价值
系统效率高
高功率密度设计
高设计鲁棒性
减少EMI滤波
在硬开关拓扑中使用
竞争优势
支持采用创新拓扑结构（如3L PFC，ANPC）
与HV SiC MOSFET相比，Ron x A降低，FoM提高，RDS(on)与Tj曲线平坦，100°C时增幅最小
低Qgd,Qoss fr,Eoss
高压摆率控制、线性Coss和低Qfr
高栅极驱动阈值电压Vth,typ=4.5V实现0V-18V驱动
以及较低的米勒比，以减轻Cgd，Vds/dt引起的寄生导通
应用领域
AI服务器电源
SMPS
电机控制
轻型电动汽车
叉车
电动飞机
固态断路器
太阳能
能源储存
D类放大器
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
英飞凌
+关注
关注
66文章
2188浏览量
138721 -
MOSFET
+关注
关注
147文章
7164浏览量
213283 -
SiC
+关注
关注
29文章
2814浏览量
62643
发布评论请先 登录
相关推荐
风电场测试变压器 400V变690V、1140V变400V
新能源测试变压器在风电场的应用 在风电场中，变压器的应用至关重要，它们不仅负责电压的转换，还承担着电气隔离和能量传输的重要任务。400V变690V、380V变480V的变压器在风电场中
储能PCS/光伏发电变压器 400V变690V 400V变600V 400V变800V
在光伏发电系统中，400V升压至690V的变压器扮演着至关重要的角色。传统光伏电站多采用400V低压系统，但随着光伏装机容量的不断增加，400V系统面临着电流过大、线路损耗增加、设备尺
400V变400V/380V变380V移动储能车隔离式变压器 裸机 额定功率500KVA
《400V 变 400V/380V 变 380V 移动储能车隔离式变压器：移动能源的核心支柱》 在移动储能车的关键组件中，400V 变
实现高温炉效能提升：光伏发电 400V 变 660V 技术应用
实现高温炉效能提升：光伏发电 400V 变 660V 技术应用 在工业领域的能源变革之路上，将光伏发电与高温炉相结合，借助 400V 变 660V 技术，正开启一场效能提升的崭新篇
光能量转：400V变690V、690V变400V光伏电站能量智能转换装置
景和电网接入要求需要不同的电压等级。在光伏电站的运行中，400V 和 690V 是两个关键的电压值。一方面，光伏电站内部的部分设备和初始发电电压可能是 400V；另一方面，690V 则
电压匠心：精确变换400V至800V 400V至690V,低压升高压，高压转低压定制
。
二、400V 至 800V、400V 至 690V 精确变换的技术精髓
（一）电磁感应原理的深度应用
变压器作为电压变换的核心设备，其工作原理是电磁感应。对于
PCIM2024论文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三电平工业电机驱动
/摘要/400VSiCMOSFET技术商用化弥补了长期存在的200V中压MOSFET与600V超级结MOSFET之间产品和技术空缺。
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET
发表于 07-25 16:14
•652次阅读
英飞凌推出全新CoolSiC™ 400V MOSFET系列，满足AI服务器需求
扩展至400V领域，并推出了全新的CoolSiC™400VMOSFET系列。这一创新产品不仅满足了AI服务器电源(PSU)日益增长的功率需求，同时保持了服务器机架规
联合电子400V SiC（碳化硅）电桥在太仓工厂迎来首次批产
2024年3月，联合电子400V SiC（碳化硅）电桥在太仓工厂迎来首次批产。本次量产标志着联合电子在400V电压平台上实现了Si和SiC技术的全面覆盖，也标志着联合电子同时拥有了400V Si，
英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠
全面提升！英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术
英飞凌推出G2 CoolSiC MOSFET进一步推动碳化硅技术的发展
碳化硅（SiC）技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键，英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G
英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
工商网监
评论