怎样选择合适的MOSFET

许多工程师经过对上海雷卯的 ESD TVS 二极管多年的验证使用后产生信任，进而开始选用雷卯的 MOSFET。上海雷卯始终致力于严格把控产品质量以及满足客户需求。对于MOSFET选型，在此EMC 小哥分享一份上海雷卯的 MOSFET 选型指南，供初学者参考。

一、确定应用需求

1. 电路类型

- 开关电路：如果应用于开关电路，如电源开关、电机驱动等，需要关注 MOSFET 的开关速度、导通电阻和栅极电荷等参数。快速的开关速度可以减少开关损耗，提高效率；低导通电阻能降低导通时的能量损耗；而低栅极电荷则有助于加快开关转换过程。

- 放大电路：用于放大电路时，要重点考虑 MOSFET 的线性度、增益和噪声等特性。具有良好线性度和高增益的 MOSFET 能够保证信号的准确放大，低噪声则可以减少对信号的干扰。

2. 工作电压和电流

- 工作电压：确定电路的工作电压范围，选择的 MOSFET 额定电压应大于等于电路的最大工作电压，并留有一定的余量（建议至少 1.5 倍余量），以确保在电压波动或瞬态电压情况下 MOSFET 能够正常工作。

- 工作电流：根据负载的电流需求，选择能够承受相应电流的 MOSFET。注意查看 MOSFET 的额定电流（连续电流）和最大漏极脉冲电流等参数，额定电流应满足负载在正常工作状态下的电流需求，而最大漏极脉冲电流则要考虑在瞬态或脉冲电流情况下的承受能力。

3. 工作温度

了解应用环境的温度范围，确保所选 MOSFET 的工作温度范围能够覆盖该范围。如果工作环境温度较高，需要关注 MOSFET 的热阻、结温等参数，选择热阻较小、结温较高的器件，以保证在高温环境下的可靠性。

二. 选择 MOSFET 的类型（P 沟道或 N 沟道）

- P 沟道 MOSFET：P 沟道 MOSFET 的栅极电压为负时导通，适用于源极接电源正极的电路。在一些需要低电压控制或逻辑电平转换的场合比较适用，例如电池供电的设备中，可用于防反接保护电路。其优点是在电路设计上可以简化驱动电路，但缺点是导通电阻相对较大，电流驱动能力相对较弱。

- N 沟道 MOSFET：N 沟道 MOSFET 的栅极电压为正时导通，通常用于源极接地的电路。具有较低的导通电阻和较高的电流驱动能力，适用于对功率要求较高、需要大电流输出的场合，如功率放大器、电源转换电路等。但其驱动电路相对复杂，需要较高的栅极电压来控制导通。

三、关注关键参数

-导通电阻（Rds(on)）：导通电阻越低，MOSFET 在导通状态下的能量损耗越小，效率越高。对于对效率要求较高或工作电流较大的应用，应选择导通电阻较小的 MOSFET。但导通电阻较低的器件价格可能相对较高，需要在性能和成本之间进行权衡。

- 栅极电荷（Qg）：栅极电荷决定了 MOSFET 的开关速度和驱动电路的功耗。栅极电荷越小，开关速度越快，驱动电路的功耗越低。在高频开关应用中，应选择栅极电荷较小的 MOSFET 以提高系统的效率和性能。

- 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：漏源击穿电压是 MOSFET 能够承受的最大漏源电压，选择时应确保该参数大于电路中的最大电压应力，以防止器件击穿损坏。

- 热阻（Rθ）：热阻反映了 MOSFET 散热的能力，热阻越小，器件在工作时产生的热量越容易散发出去，结温越低，可靠性越高。在高功率应用或散热条件较差的环境中，应选择热阻较小的 MOSFET，热阻的具体参数可以参考另外一篇

《MOSFET器件参数：TJ、TA、TC到底讲啥》。

四、封装选择

- 封装类型：上海雷卯提供多种封装类型的 MOSFET，如 SOT-23、SOP-8、DFN 等。不同的封装类型具有不同的尺寸、引脚排列和散热性能。例如，

SOT-23 封装体积小，适用于空间受限的应用；

SOP-8 封装引脚较多，可提供更好的电气连接和散热性能；

DFN 封装具有较低的寄生电感和电容，适合高频应用。

- 封装质量：检查封装的质量和可靠性，确保引脚焊接牢固，封装材料能够承受高温和机械应力。良好的封装可以保证 MOSFET 在长期使用过程中的稳定性和可靠性。

五. 参考数据手册和应用案例

- 数据手册：仔细阅读上海雷卯 MOSFET 的数据手册，了解器件的详细参数、性能曲线、工作条件和应用注意事项等信息。数据手册是选型的重要依据，能够帮助您准确地选择适合的 MOSFET。

- 应用案例：参考上海雷卯提供的应用案例或其他客户的成功经验，了解不同型号的 MOSFET 在类似应用中的表现和可靠性。这可以为您的选型提供参考，避免在实际应用中出现问题。

六 、应用案例分享

1. LM3D40P02

- 特点：这是一款 P 沟道沟槽技术的 MOSFET，专为电子烟等小型设备优化设计。具有低阈值电压（Vgs(th)=-0.65V（type）），可使设备快速启动；强大的电流承载能力（Id=-40A），能在高负载条件下稳定工作；较低的导通电阻（Rds(on)=5mΩ），能有效减少能量损耗，延长电池续航；低门极电荷（Qg=38nc），加快了开关速度，提高了整体效率；采用 DFN3.3*3.3 的紧凑型封装，易于集成到小型设备中。

- 应用场景：非常适合电子烟、小型智能设备等对空间和功耗有较高要求的应用场景。

2. LM8S16P03

- 特点：属于 PMOS 类型的 MOSFET。漏源电压（Vdss）为-30V，漏极电流（Id）为-16A，漏源导通电阻（Rdson）为 6.5mΩ，栅源电压（Vgs）为±20V，栅极电荷（Qg）为 62.5。工作温度范围为-55℃~150℃，可适应较为恶劣的工作环境。

- 应用场景：适用于新能源、家用电器、3C 数码、汽车电子、测量仪器、智能家居等多种领域。

由于上海雷卯的 MOSFET 产品系列较为丰富，具体的选型还需要根据实际的应用需求、电路参数等因素进行综合考虑。如果需要更详细的产品信息，建议联系上海雷卯的销售人员或参考其官方的产品样册。