0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

vdmos器件厚度对电阻的影响

科技绿洲 来源:网络整理 作者:网络整理 2024-09-29 09:47 次阅读

VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件的厚度对电阻的影响主要体现在以下几个方面:

一、氧化层厚度对电阻的影响

  1. 栅氧化层厚度
    • 影响栅电容 :栅氧化层的厚度直接影响栅电容的大小。较厚的栅氧化层可以减少栅电容,从而提高器件的开关速度。这是因为栅电容的减少降低了器件在开关过程中的电荷存储和释放时间。
    • 影响导通电阻 :然而,增加栅氧化层的厚度也会带来导通电阻的增加。这是因为栅氧化层是电子从栅极到沟道传输的必经之路,其厚度的增加会增加电子传输的阻力。
    • 优化策略 :为了平衡开关速度和导通电阻之间的矛盾,通常采用多层外延结构等设计手段,以在不改变器件反向击穿电压的情况下,进一步减少器件电阻。
  2. 外延层厚度
    • 影响电流承载能力 :VDMOS器件的外延层厚度直接影响其电流承载能力。较厚的外延层可以提供更大的电流通道,从而降低器件的导通电阻。
    • 影响散热性能 :同时,外延层的厚度也影响器件的散热性能。较厚的外延层可以提供更好的散热路径,有助于降低器件在工作过程中的温升。

二、其他厚度因素

  • 衬底厚度 :虽然衬底厚度对VDMOS器件的电阻直接影响较小,但它对器件的机械稳定性和热稳定性有重要影响。较厚的衬底可以提供更好的支撑和散热效果。

三、综合影响

  • 电阻与性能平衡 :在VDMOS器件的设计中,需要综合考虑各种厚度因素对电阻和性能的影响。通过优化栅氧化层、外延层等关键层的厚度,可以在保证器件性能的前提下,实现电阻的最小化。

四、实际应用中的考虑

  • 市场需求 :不同应用场景对VDMOS器件的性能要求不同。例如,高频应用需要更快的开关速度,而大功率应用则需要更低的导通电阻。因此,在实际应用中,需要根据具体需求选择合适的器件厚度。
  • 制造工艺 :制造工艺的限制也会影响VDMOS器件的厚度设计。例如,更薄的栅氧化层需要更先进的制造工艺来保证其质量和稳定性。

综上所述,VDMOS器件的厚度对电阻具有显著影响,需要在设计过程中综合考虑各种因素以实现最佳性能。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电阻
    +关注

    关注

    86

    文章

    5507

    浏览量

    171894
  • VDMOS器件
    +关注

    关注

    0

    文章

    3

    浏览量

    6987
  • 场效应晶体管

    关注

    6

    文章

    363

    浏览量

    19492
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    200V/100A的VDMOS器件开发

    详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节,包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明,该器件反向击穿特性良好
    发表于 12-02 10:45 3343次阅读
    200V/100A的<b class='flag-5'>VDMOS</b><b class='flag-5'>器件</b>开发

    VDMOS功率器件用硅外延片

    VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构,将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率
    发表于 12-21 10:52 40次下载

    一种减少VDMOS寄生电容的新结构

    一种减少VDMOS寄生电容的新结构     0 引 言    VDMOS与双极晶体管相比,它的开关速度快,开关损耗小,输入电阻高,驱动
    发表于 01-11 10:24 1561次阅读

    用虚拟制造设计低压功率VDMOS

    随着高压器件和功率器件需求的不断发展,大功率VDMOS器件的特有作用正日益显现出来。VDMOS主要应用在高电压和大电流两种情况,在一些特殊的
    发表于 06-23 16:55 32次下载

    VDMOS器件结构

    VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线形应用,VDMOS都是理想的功率器件VDMOS主要应用于电机调速、逆变
    发表于 12-01 14:09 114次下载
    <b class='flag-5'>VDMOS</b><b class='flag-5'>器件</b>结构

    VDMOS原理介绍

    VDMOS接近无限大的静态输入阻抗特性,非常快的开关时间,导通电阻正温度系数,近似常数的跨导, 高dV/dt。
    发表于 12-01 14:11 180次下载
    <b class='flag-5'>VDMOS</b>原理介绍

    功率VDMOS器件的参数漂移与失效机理

    功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣,因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果,着重讨论了功率VDMOS
    发表于 12-16 15:28 78次下载
    功率<b class='flag-5'>VDMOS</b><b class='flag-5'>器件</b>的参数漂移与失效机理

    基于VDMOS纵向电场的影响研究

    本课题的研究目的旨在从改变功率VDMOS的结构参数入手得到外延层厚度和栅源电压对功率VDMOS纵向电场的影响,并且在结构参数变化的范围内分析出最大电场位置的变化,为优化器件的性能起到指
    发表于 11-01 18:01 7次下载
    基于<b class='flag-5'>VDMOS</b>纵向电场的影响研究

    可提高开关速度与动态性能的减少VDMOS寄生电容新结构的研究

      VDMOS与双极晶体管相比,它的开关速度快,开关损耗小,输入电阻高,驱动电流小,频率特性好,跨导高度线性等优点。特别值得指出的是,它具有负温度系数,没有双极功率管的二次击穿问题,安全工作区
    的头像 发表于 07-08 08:17 3939次阅读
    可提高开关速度与动态性能的减少<b class='flag-5'>VDMOS</b>寄生电容新结构的研究

    平面VDMOS器件工艺流程和基本电参数的详细资料说明

    本文档的主要内容详细介绍的是平面VDMOS器件工艺流程和基本电参数的详细资料说明。
    发表于 04-01 08:00 25次下载
    平面<b class='flag-5'>VDMOS</b><b class='flag-5'>器件</b>工艺流程和基本电参数的详细资料说明

    超结VDMOS的结构和应用

    超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件
    的头像 发表于 09-18 10:15 6523次阅读
    超结<b class='flag-5'>VDMOS</b>的结构和应用

    vdmos器件的具体应用

    场效应晶体管)是一种基于MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)结构的功率晶体管。它具有较宽的通道和漏极区域,能够承受更大的电流和功率,并具备电压阻断功能。以下是VDMOS器件的具体应用: 一、电子设备
    的头像 发表于 09-29 09:43 412次阅读

    vdmos和mos有什么区别

    Vdmos(垂直双扩散金属氧化物半导体)和MOS(金属氧化物半导体)是两种不同类型的半导体器件,它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一
    的头像 发表于 09-29 09:49 889次阅读

    vdmos是什么型器件

    和源极之间的电流。VDMOS器件具有垂直结构,这意味着其漏极、源极和栅极之间的连接是垂直的,而不是水平的。这种结构有助于实现更高的电流密度和更低的导通电阻。 2. VDMOS
    的头像 发表于 09-29 09:50 690次阅读

    VDMOS技术概述和特点

    在过去的二十年间,MOSFET作为开关器件发展迅速。然而,由于MOSFET的通态功耗较高,导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限,被称为“硅极限”。为了突破这一限制,研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体(VD
    的头像 发表于 10-15 14:50 451次阅读