介绍晶体及晶振并对石英晶振与MEMS硅晶振的工艺做区别对比

本文简单介绍晶体及晶振的概念性东西，同时分别对石英晶振与MEMS硅晶振的工艺做了简单描述，以及参数比较。

一、晶体与晶振的区别。

晶体与晶振的叫法在国内比较乱，很多人会把晶体与晶振统称晶振。一般来讲，晶体是指无源晶振，英文名：Crystal。需要串接电容才可起振。晶振一般也叫有源晶振，英文名：Oscillctor。无需串接电容，上电就可以有时钟输出。

二、石英晶振的生产工艺。

石英晶振要经过切割、打磨、镀银、点胶、氮气填充等几十道工序。会存在以下问题风险：

1、 易碎：因为精准度的需要，石英晶片需要打磨的非常薄。所以在运输过程中是非常容易碎掉的。

2、 品质不一致：除易碎的情况外，过高的温度(如：焊接)会容易导致点胶的松动，造成坏品。

3、 漏气：因为石英晶振的精度与镀银有很直接的关系，所以金属壳的密封不好的话，很容易漏气被氧化掉，导致出现比较大的频率偏差。

所以石英晶振的DPPM在200-300之间。(DPPM是defective parts per million的缩写.是指百万分比的缺陷率。生产品质术语)

三、MEMS硅晶振的生产工艺。

MEMS硅晶振采用的是标准的半导体工艺制程，Die与封装都是全自动化流程。从本质上解决了石英晶振的所有风险：

1、 高抗震性：50000G抗震性，石头上摔、用力踩、钳子夹是都不会有问题的。

2、 高品质一致性：DPPM为0.15，也就是说一百万片里面有0.15片的缺陷率。

3、 高精度：普通芯片里面都带有温度补偿电路，全温精度保证。

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