基于抑制零点漂移的3种常用措施分析

疑难问题：

抑制零点漂移的常用措施有哪些？

产生零点漂移的原因很多，任何元件参数的变化，都将造成输出电压漂移。实践证明，温度变化是产生零点漂移的主要原因，也是最难克服的因素，这是由于半导体元器件的导电性对温度非常敏感，而温度又很难维持恒定。

当环境温度变化时，将引起晶体管参数的变化，从而使放大电路的静态工作点发生变化，而且由于级间耦合采用直接耦合方式，这种变化将逐级放大和传递，最后导致输出端的电压发生漂移。直接耦合放大电路级数愈多，放大倍数愈大，则零点漂移愈严重，并且在各级产生的零点漂移中，第一级产生零点漂移影响最大，为此减小零点漂移的关键是改善放大电路第一级的性能。

在实际电路中，根据具体情况可采用不同的措施抑制零点漂移。常用的措施有下面几种：

1、选用高质量的硅管

硅管的Icbo要比锗管小好几个数量级，因此目前高质量的直流放大电路几乎都采用硅管。另外管子的制造工艺也很重要，即使同一种类型的管子，如工艺不够严格，半导体表面不干净，将会使漂移程度增加。所以必须严格挑选合格的半导体器件。

2、温度补偿的方法

利用温度对非线性元件的影响来抵消温度对放大电路中晶体管参数的影响，进而减小电路的零点漂移。这种方法比较简单，在线性集成电路中应用比较多，但是补偿的程度不够理想。受温度补偿法的启发，人们利用两只型号和特性都相同的晶体管来进行补偿，收到了比较好的抑制零点漂移的效果，这就是差动放大电路。

3、调制法

这种方法的指导思想是先将直流信号通过某种方式转换成频率较高的交流信号（这种方式称为调制），经过阻容耦合放大电路进行放大后，再转换成直流信号（这种转换称为解调）。因此这种方法既放大了输入信号，又抑制了零点漂移。