详细剖析28V通用型GaN射频功率器件以及应用

产品概述

1.无内匹配设计，最大化产品的宽带特性和通用性。

2.依据芯片和封装的不同组合，功率涵盖6W-180W等多种档次,频率高达6GHz。

3.产品兼容28-32V供电，产品定标于28V。

4.固晶(Die attach)，键合(Wire bonding)，封装(Package)等金属化环节全面采用金(Au)系统

5.业界标准的封装形式，产品默认形态为有耳形式(Eared), 可同时满足焊接和螺钉固定等多种装配要求。(并提供无耳Earless形式的封装，具体请咨询我们)。包括

单端(Single Ended) 器件：MME/GXB

推挽对管(Push Pull)器件：LBB

6.高导热材料法兰底座，有效提高产品性能和可靠性

7.产品执行完整的直流和射频测试，确保性能批量一致性。

8.结温控制在200摄氏度以下可确保百万小时量级的平均无故障时间。

产品目录

应用场景

GaN HEMT (氮化镓高电子迁移率晶体管) 因其具备的高功率密度、低寄生参数和高截至频率 (Ft) 等固有特性，可以作为以下场合的器件首选：

3GHz以上所有形式的功率放大器

3GHz以下LDMOS等技术不能满足的高效率窄带功率放大器

匹配紧凑或小型化功率放大器

>20%相对带宽的宽带功率放大器

超宽带及倍频程功率放大器

开关模式或谐波调制方式工作的功率放大器

典型应用：

宽带及超宽带通信

移动通信

测试及测量放大器

商业脉冲放大器

线性放大器

工业/科技/医疗

应用要点

1.器件的管脚定义

考虑到和LDMOS产品的兼容性以及绝大多数客户的使用习惯，器件的输出管腿,即Drain极默认为有缺角的一侧，另外一侧为输入栅极，和市场上的部分品牌不同，请客户使用时注意。

2.器件的安装方式建议

通常我们的应用演示电路都采用将器件直接焊接的方式，以获得最低的整体热阻并有效降低接地带来的源极电感，这对于氮化镓这种高功率密度的器件尤为重要，特别是宽带高功率等场合应用的时候，我们建议客户焊接器件使用。如客户不能焊接器件，必须采用常规螺钉固定等方式的时候，请注意提供有效散热。

3.如何考虑器件的升压使用

通常器件是在28V进行性能定标的，如果客户需要获得更高的输出功率或者改善线性等，提高工作电压是可行手段，例如从28V提升至32V,通常有0.5-1dB的功率提升；在获得收益的同时，请留意相应提高的散热压力等负面因素。我们的器件建议在32V以下使用，如果需要进一步提升电压，请咨询我们。

4.如何理解器件的输出功率

我们对功率输出能力的标定，考虑了芯片的功率密度以及应用环境等因素，通常以中等带宽条件下可实现的输出能力为准。客户使用场合的不同，会体会到不同的输出功率。同时，标称功率均指3dB压缩条件下的饱和输出功率。以NME4004H为例，作为一个标称40W的器件，在窄带或者点频使用中，可以实现大于50W的输出，但应用在倍频程等超宽带场合，全频段的最低输出能力又会下降到40W以下，例如30W。具体请咨询我们的技术支持。

5.连续波CW和脉冲应用

器件均支持连续波和脉冲应用，在常见散热条件下，脉冲功率略高于连续波功率。

6.28V 通用型氮化镓可以用到移动通信功率放大器中吗？

可以，在Sub-6GHz所有的应用上，包括移动通信所有的频段内都可以使用。但是考虑到移动通信的特点，我们针对移动通信常见频段进行了相应的优化内匹配设计，开发出了更有针对性的产品(Telecom 28V GaN， 另行介绍)。

7.28V 氮化镓产品使用在较低的HF/VHF频段合适吗？

氮化镓的主要优势在于高频和宽带。在较低的HF/VHF使用氮化镓，需要额外考虑极高增益带来的器件稳定性设计。同时可以考虑我们高性能的28V LDMOS，可以获得与氮化镓相近的射频性能。

超宽带应用范例

NME6003H 150-3000MHz 15W

NU4012H 900-3000MHz 60W