0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,应用于POL、LiDAR的马达驱动器

MWol_gh_030b761 2017-12-29 10:40 次阅读

宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器

宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC2049功率晶体管,应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)、包络跟踪电源、D类音频放大器及具低电感的马达驱动器。 EPC2049晶体管的额定电压为40 V、最大导通电阻为5 mΩ及脉冲输出电流为175 A。

与采用塑胶封装的MOSFET相比,采用芯片级封装的EPC2049氮化镓场效应晶体管的散热性能好很多,这是由于使用芯片级封装的氮化镓器件可以直接把热量散出至环境,而MOSFET晶片的热量则聚集在塑胶封装内。EPC2049的尺寸只是2.5毫米x 1.5毫米(3.75平方毫米)。 设计师不需要选择设计更小型化还是性能更高的产品,而是二者可以同时兼得!

EPC公司首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称:「EPC2049展示出EPC公司及其氮化镓晶体管技术如何提升eGaN®器件的性能之同时能够降价。EPC2049进一步印证了eGaN与MOSFET技术在性能及成本方面的绩效差距正在继续扩大。」

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    147

    文章

    7156

    浏览量

    213147
  • 晶体管
    +关注

    关注

    77

    文章

    9682

    浏览量

    138080
  • 马达驱动器
    +关注

    关注

    0

    文章

    28

    浏览量

    15950
  • 宜普电源
    +关注

    关注

    1

    文章

    6

    浏览量

    7583

原文标题:宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,比等效MOSFET小型化8倍

文章出处:【微信号:gh_030b7610d46c,微信公众号:GaN世界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化功率分立器件

    、数据中心、电信整流等消费和工业开关电源(SMPS)、可再生能源,以及家用电器中的电机驱动器。CoolGaN650VG5晶体管最新一代CoolGaN
    的头像 发表于 11-28 01:00 200次阅读
    英飞凌<b class='flag-5'>推出</b>高效率、高<b class='flag-5'>功率</b>密度的新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>功率</b>分立器件

    英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化功率分立器件

    晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流等消费和工业开关
    发表于 11-20 18:27 445次阅读
    英飞凌<b class='flag-5'>推出</b>高效率、高<b class='flag-5'>功率</b>密度的新一代<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>功率</b>分立器件

    GaN晶体管的应用场景有哪些

    GaN(氮化晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高
    的头像 发表于 08-15 11:27 887次阅读

    GaN晶体管和SiC晶体管有什么不同

    GaN(氮化晶体管和SiC(碳化硅)晶体管作为两种先进的功率半导体器件,在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而
    的头像 发表于 08-15 11:16 835次阅读

    GaN晶体管的基本结构和性能优势

    GaN(氮化晶体管,特别是GaN HEMT(高电子迁移率晶体管),是近年来在电力电子和高频通信领域受到广泛关注的一种新型功率器件。其结构
    的头像 发表于 08-15 11:01 1053次阅读

    氮化(GaN)的最新技术进展

    宽禁带半导体,彻底改变了传统电力电子技术。氮化技术使移动设备的快速充电成为可能。氮化器件经常用于一些转换
    的头像 发表于 07-06 08:13 833次阅读
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>(GaN)的最新技术进展

    瑞萨电子氮化场效应晶体管的优势

    氮化场效应晶体管是当今电力电子领域的明星,它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度,有效满足当前的市场需求和趋势。
    的头像 发表于 07-05 09:20 621次阅读
    瑞萨电子<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>场效应<b class='flag-5'>晶体管</b>的优势

    晶体管功率继电器的基本介绍

    晶体管功率继电器是一种利用晶体管作为开关元件的功率继电器。它具有体积小、重量轻、响应速度快、寿命长等优点,广泛应用于各种电子设备和系统中。
    的头像 发表于 06-28 09:13 607次阅读

    CGHV96050F1卫星通信氮化高电子迁移率晶体管CREE

    CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与
    发表于 01-19 09:27

    氮化是什么晶体,是离子晶体还是原子晶体

    (3.4电子伏特),在紫外到蓝色波段有较高的透明性。这种特性使氮化成为光电子学领域的重要材料,广泛应用于LED(发光二极)、激光、太阳
    的头像 发表于 01-10 10:23 6068次阅读

    氮化是什么晶体类型

    氮化是一种重要的半导体材料,属于六方晶系晶体。在过去的几十年里,氮化作为一种有着广泛应用前景的材料,受到了广泛关注和研究。本文将会详尽地
    的头像 发表于 01-10 10:03 3828次阅读

    氮化mos型号有哪些

    氮化(GaN)MOS,是一种基于氮化材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
    的头像 发表于 01-10 09:32 2224次阅读

    氮化mos驱动方法

    氮化(GaN)MOS是一种新型的功率器件,它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点,逐渐被广泛应用于
    的头像 发表于 01-10 09:29 2790次阅读

    氮化功率器件结构和原理

    晶体管)结构。GaN HEMT由以下主要部分组成: 衬底:氮化功率器件的衬底采用高热导率的材料,如氮化硅(Si3N4),以提高器件的热扩散
    的头像 发表于 01-09 18:06 3194次阅读

    氮化mos驱动芯片有哪些

    氮化(GaN)MOS(金属氧化物半导体)驱动芯片是一种新型的电子器件,它采用氮化材料作为通
    的头像 发表于 12-27 14:43 2026次阅读