西部数据推出嵌入式闪存盘以及NAND的发展过程及当下存储市场的强劲需求

依稀记得以前为了安全起见，在冲印照片之后，我们都把胶卷小心翼翼的包好放在安全位置，生怕划破以后无法找到原始照片；又或者我们把播放列表里的音乐转变成音频CD等等，随着科技的不断进步，类似于这些旧的数据存储方式已经被存储卡、USB驱动器、SSD这些新型技术产品所取代。

西部数据作为业内领导品牌，在闪存领域一直动作频频，基于当下海量、多样化的数据趋势下，于近日宣布推出全新先进的iNAND嵌入式闪存盘（EFD）。据介绍，该产品用于智能手机和轻薄型计算设备时，可以为数据中心的大量应用加速，包括增强现实、高分辨率视频捕捉及丰富的社交媒体体验，当然，还有新兴的终端人工智能和物联网体验。

现场，来自Counterpoint Research的智能设备及生态系统研究总监闫占孟先生分析了当下NAND市场现状，划两个重点：

一、NAND目前朝两个方面发展，一是从2D转向3D NAND，毋庸置疑，3D NAND可以承载更多的容量存储，并将于2028年占全球市场比例将近一半。另外UFS明年中低市场也会逐渐采用，TLC会拓展到终端市场。

二、由于4G、存储版本以及显示屏幕的高分辨率，未来DRAM会大幅增长。

闫占孟表示：“预计到2018年末，全球每部智能手机的平均存储容量将攀升到超过60GB，用以支持由设备上人工智能和增强现实所带来的日益增多的丰富多媒体内容和数据驱动体验。这推动了我们向先进的3D NAND嵌入式闪存解决方案演进，从而进一步推动这些丰富的体验。”

西部数据嵌入式及集成解决方案（EIS）产品市场管理总监包继红女士现场分析了NAND的发展过程及当下存储市场的强劲需求。“目前5G、人工智能、机器学习进一步催熟了存储市场，未来存储必定会呈现增长趋势。”

正如包继红所说，随着5G、AI、机器学习等技术的不断推进，存储市场需求也在逐渐增大。

发布会上，包继红女士也畅谈了在过年一年多时间中存储市场供不应求的主要原因，一是闪存的竞争，HDD逐渐转换为SSD；二是技术竞争，2D NAND转向3D NAND；三是不少手机厂商会提前备货。

对于未来，包继红提到在如今的移动互联时代下，TLC、MLC与QLC的关系，在3D NAND趋势下，MLC颗粒到TLC颗粒已然转换变成，而QLC属于未来，各大厂商对于这项技术的投资会继续，层数也会逐渐增加。

此次发布的两款产品分别为iNAND 8521 嵌入式闪存盘和iNAND 7550嵌入式闪存盘，均是64层。

其中，8521嵌入式闪存盘专为需要使用大量数据的用户设计，采用UFS 2.1接口和西部数据新型第五代SmartSLC技术。相比于公司面向旗舰智能手机的上一代iNAND移动解决方案iNAND 7232嵌入式闪存盘，这次的iNAND 8521提供了两倍的顺序写入速度1和高达10倍的随机写入速度2。通过快速并智能响应用户的应用性能需求，它使用户能够快速玩转虚拟现实游戏，并且快速下载高清电影。

另外，7550嵌入式闪存盘帮助移动设备制造商打造存储空间充足且具有高性价比的智能手机和计算设备，以满足消费者不断增长的存储需求，同时提供快速且具吸引力的应用体验。基于e.MMC 5.1规范，是目前西部数据基于广为使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解决方案，可提供高达260 MB/秒的顺序写入性能以及20K IOPS和15K IOPS的随机读/写性能3，更有助于同时加快自身和应用启动的速度。