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新品 | 3300W无桥图腾柱PFC参考设计

英飞凌工业半导体 2024-10-17 08:03 次阅读

新品

3300W无桥图腾柱PFC参考设计

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REF_3K3W_TP_SIC_TOLL 3300W无桥图腾柱PFC参考设计是采用英飞凌功率半导体、驱动器微控制器的系统解决方案。它采用无桥图腾柱拓扑结构,非常适合要求卓越的效率和功率密度的高端应用。图腾柱设计简便易行,减少了元件数量,并充分利用了PFC电感器和功率开关,从而以有限的系统成本实现高功率密度。

相关器件:

REF_3K3W_TP_SIC_TOLL

相关器件:

■1EDB8275F(EiceDRIVER单通道隔离栅极驱动器)

■1EDB9275F(EiceDRIVER单通道隔离栅极驱动器)

■BAT 165 E6327(肖特基二极管

■ICE5QSAG(CoolSET准谐振控制器

■IMT65R048M1H(650V CoolSiC MOSFET,采用TOLL封装)

■IPT60R022S7(CoolMOS S7超结MOSFET)

■IPU95R3K7P7(CoolMOS P7系列MOSFET)

■XMC1402-Q040X0064 AA(采用ARM Cortex-M0的XMC 32位微控制器)

产品特点

基于碳化硅的图腾柱PFC

采用CoolMOS和CoolSiC实现最高效率

高功率密度SMD设计

数字控制由XMC1402实现

应用价值

完整的英飞凌半导体解决方案

98.9%高效率(1650瓦,50%负载)

紧凑型设计(80W/in³)

元件数量少

竞争优势

REF_3K3W_TP_SIC_TOLL是英飞凌无桥图腾柱PFC系统解决方案,其峰值效率高达98.9%,外形尺寸为1U,功率密度为 80W/in³。

REF_3K3W_TP_SIC_TOLL评估板采用TOLL封装的CoolSiC MOSFET 650V G1和600V CoolMOS MOSFET,CoolSiC和CoolMOS的结合实现了紧凑外形下的高性能。

无桥拓扑结构通过XMC 1000系列英飞凌微控制器实现全数字控制。该电路板在PFC运行时不仅在稳态条件下表现出色,提供高效率和高质量的输入电流,而且还能满足电源线干扰和掉电保持时间的要求。

应用领域

用于电信基础设施的交流-直流功率转换

电池充电器

电动汽车充电

功率转换

服务器电源

框图

457cf118-8c1b-11ef-b5cd-92fbcf53809c.jpg

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