近日,方正微电子发布了其在第三代半导体领域的最新进展。作为该领域的IDM(垂直整合制造)企业,方正微电子目前拥有两个fab(制造工厂)。
其中,Fab1已经实现了SiC(碳化硅)产能9000片/月(6英寸),并且预计在2024年底,产能将达到1.4万片/月。更令人瞩目的是,到2025年,方正微电子将具备16.8万片/年的车规SiC MOS生产能力,这一数字不仅在国内领先,更彰显了公司在全球市场的竞争力。
此外,方正微电子在GaN(氮化镓)方面也有不俗的表现,当前产能已达4000片/月。为了进一步提升产能,方正微电子正在加速推进Fab2的8英寸SiC生产线建设,预计将于2024年底通线,长远规划产能高达6万片/月。
值得一提的是,方正微电子当前已建成的车规SiC MOS生产能力在中国排名第一,这不仅是对公司技术实力的肯定,更为中国半导体产业的发展注入了新的活力。
未来,方正微电子将继续加大在第三代半导体领域的投入,不断提升技术水平和产能,为全球客户提供更加优质的产品和服务。
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