电源芯片耗散功率与结温关系的探讨
以下文章来源于慧智微电子 ，作者小慧
01如何仅通过EM仿真SNP文件获取传输线特征阻抗?
Q：请问目前通过EM仿真得到传输线的SNP文件，仅有这个的情况下能仿真得到传输线的特征阻抗吗？
A：一般来讲，只在这个端口加Term，然后设置这个Term的阻抗为Zo, 之后扫描Zo, 看什么时候，这个端口的反射系数最小。这时候的Zo，就是特征阻抗。(但是需要考虑其它的端口怎么连接--这是一个问题)。如果是两端口，两个端口的连接传输线是一样的。那就加两个Term，两个Term的阻抗都设置为Zo.....
Q：好的，谢谢你，我这就去试试。
02电源芯片耗散功率与结温关系的探讨
Q：请问下有人了解，电源芯片这个耗散功率是在结温150°C下算出来的吗？
A：不是，超过结温，pn结损坏。
Q：那他这个耗散功率是，结温多少的时候测出来的？
A：最大结温一般是晶元厂测出来的吧。实际上使用器件也不关心结温多少，也很难测出来。只要散热够好就ok。做什么产品啊，这么纠结功耗与结温的关系。
Q：因为他只给了个耗散功率，想算他的热阻，之前一版85度时电源自保护了，所以想先预算一下。
A：你说的这个耗散功率应该是满载工作时的最大热耗。
可靠性考虑，半导体芯片针对结温(TJ)规定了安全上限，通常为150°C(有时为175°C)。
裸芯片，结温可以用显微红外热像仪测试。封装好的芯片热阻，可以用热阻测试仪（如t3ster）测试。
Q：好的，谢谢，多找了几份规格书反推了一下，有的是125度，有的是150度。所以按150度推算热阻系数保守一点。
03包络阻抗、基波阻抗与二次谐波阻抗的差异
Q：请问大家一个问题，包络阻抗是什么意思，和我们的基波阻抗，二次谐波阻抗区别在哪？
A：我理解包络阻抗应该是双音信号或宽带信号才有的概念，基波阻抗和谐波阻抗不论单音双音和宽带都要考虑。譬如有两个双音信号f1和f2，那它们的包络阻抗就是(f1-f2)和(f2-f1)频点处的阻抗，是宽带信号记忆效应的主要来源，可以参考下慧智微公众号之前有篇讲记忆效应的文章。
Q： 好的，谢谢哥，我看下文章。
04功率检测器指标与插入损耗的关系
Q：有人了解功率检测器指标吗，这个检测的准确度（dB）是对主路的的插入损耗吗？
A：图片里这是耦合功率再经过检波电路后的规格。
“有人了解功率检测器指标吗，这个检测的准确度（dB）是对主路的的插入损耗吗？”这里的检测准确度应该是这样理解：在检测电压为0.65v时，对应的输出功率在25dBm+-0.5dB。
Q：一下子就懂了，感谢大佬。
05电源线对ACLR影响分析及改进措施
Q：B5 Tx走线这里包地没做好的话，会被影响到ACLR吗？
A：会，靠电源这么近的嘛，要多打低孔了哦。
Q：ACLR直接掉到20了。
A：这些是什么线？
A：旁边电源啊。
A：不会有耦合吗？
就算地连起来了也会有影响，VBAT线应该可以网上移动一点，然后中间打地孔呢。
Q：ok，叫人改一下，感谢大佬。
A：记得电源线和那个孔之前一定要用地孔隔开，要不还会被影响
Q：好的，为啥会被电源线影响啊？B5Tx 800MHz。
A：电能转磁能呗。
A：电源有噪声。
Q：是把E-UTRA1的底噪抬太高了吗？
A：不是底噪。差的电源在被抽取电流的时候，会产生纹波。
Q：多谢大佬们解惑。
06功率检测电路设计与仿真中的关键因素探讨
Q：有人了解功率检测电路的运行规则吗？是不是 PA 正常工作的时候不开启，当 PA 出现异常就检测功率(｡･ω･｡)?
A：回环检测功率，CLPC校准，WIFI是这么用的。
Q：太深奥，没太明白。
A：你就当这个det当成一个二极管。
Q：但设计的时候，不需要考虑检测电路对这个的影响吗？我仿真出来，加了检测电路直接调了几个 dB。
A：那说明det吸收的功率太大，电路问题。
A：检波器吗？检波器的话可以耦合一个线圈出来。
Q：这是我参考的电路，主要的影响还是这个耦合电容的问题，电容太小，检测的电压变化不大，电容太大，检测的电压正常，但对主路的影响很大。
A：主路耦合出来。
Q：耦合电容不行吗？
A：做检波器是为了做包络跟踪吗？
Q：wifi-pa的功率检测，是不是包括跟踪的话，不是特别清楚。
A：一般0.5dB，放在级间。
Q：我是吧级间和这个放在一起仿真，但损耗太大了，要不就是检测的功率，不太对。
A：电路问题，自己想想。
Q：有没有那种讲关于这个功率检波电路的资料什么的，感觉我现在已经晕了。
A：有个log det的。好像，ieee搜一下。
Q：okok，多谢大佬。
07ADS模板仿真FT与Fmax遇到的问题及解决方法
Q：有大佬用过ADS模板仿真ft与fmax，替换掉原来bjt，后没有仿真结果呢？
A：好好研究，没啥问题。
Q：啊？
A：看看下面的公式，分析下ADS怎么仿真ft和fmax的，你就知道为啥没数据了。
Q：嗯嗯好嘛，从这个X开始就没数据了。
A：哎，你把原理图的频率设置高一点，300g。
Q：好嘛，多谢多谢。
Q：咨询一下各位大佬，一般芯片测试都是要焊接在PCB上去测试，但这会引入PCB的影响（比如损耗等），怎么能在测试中尽可能去除PCB的影响、只考察芯片本身的性能呢？
A：去嵌，你可以在你测试的PCB上做TRL校准的校准件然后测试的时候用TRL校准去嵌就可以测试到芯片端面了。
A：去嵌入，AFR会方便一点。
Q：类似于这样的原理是吗？PCB板相当于这里的误差盒？
我看《微波工程》这里讲TRL校准是可以将校准件和被测件级联，就是构造成3个二端口网络的级联，但实际的芯片是和PCB板焊在一起（PCB板上还可能有接地通孔），我就是不懂那这样的话PCB板怎么做校准件呢？
A：一般会按照PCB专门做一块校准板。
你这种夹具不好拆装的，那就是做前处理比较合适，做个TRL校准板。
Q：哦哦，好吧感觉我自己好像想复杂了。
A：你要做一块一摸一样的pcb做你的校准件的，国外好像有人专门做这个的。
A：看看xiaoning ye的文章吧，讲的很清楚。
Q：好的多谢各位大侠。
09负载牵引与功率效率圆分析及匹配策略
Q：求问：负载牵引得到的功率圆和效率圆为什么会错开，而不是重叠在一起。
A：好问题！
A：膝点电压吧？
A：对的。
Q：可以展开一下吗？大佬
A：从负载线的角度考虑呗。
Q：这个膝点电压和模集里的过驱动电压是一个意思么？
A：显然不是。
Q：应该是i-v曲线里的那个Vknee吧？
A：膝点电压是Vds的电流开启电压，过驱动电压是Vgs的电流开启电压。
A：就是功率管从线性区进入饱和区的拐点电压。
Q：前辈能详细讲讲吗？效率和功率圆怎么分析的。
A：那这数值上不就是过驱动电压么，就是饱和区那个分界电压呗。哦没事了，CMOS对线性饱和区的定义和模电不一样。
A：负载线匹配得最大功率，共轭匹配得最大效率，牵引的阻抗不同，在Smith圆上的位置不同。
A：共轭匹配不是最大功率传输吗？还是我记错了。
Q：不是吧共轭匹配不是s11 s22最好吗？
A：是最大功率传输，所以增益应该是最大的。
A：共轭是让功率最大化传输。
Q：嗷嗷但是小信号增益最大的话输出功率也会最大吗？
A：不会啊，这个共轭的阻抗大概率不是loadpull负载线出来的Zopt。
A：Zopt应该是最大功率。
A：解释功率圆心和效率圆心不重合的原因：
A：之前看到的一张图：
Q：对于单级PA，高功率=高增益吧；power match获得的最大输出功率点，就是最高增益点？所以这里的A和B说法有矛盾吗？当然，高功率不等于高效率；
A：这张图很明显了，
这就是负载调制
Q：是的，这张图上，小功率下，共轭匹配下增益和输出功率比power match的要大；但是饱和输出时，比不上power match的输出功率；
A：个人理解负载调制是个广泛的说法，这里的调制和doherty的负载调制不是一个东西。
A：简单来说，负载调制就是电流源控制电压源端口看到的负载。
A：最大功率和最大PAE的圆心一般不会重合的，这个图就能说明问题。
A：因为PAE考虑了增益，而功率就只考虑了功率本。
A：对滴。
A：单级负载牵引增益对效率还是有点影响，有可能某个阻抗点的增益高输出功率也比最大功率小不了多少，那那个点的效率就比最大功率点的效率高。
A：是这样滴。
A：强。
A：老司机啊！
A：谬赞了各位，我只是之前想过。
10自行设计片内电感能否优化尺寸和Q值？
Q：有自己画过片内电感的同志嘛，请问自己画的同样感值的情况下能否比pdk自带的面积小些，Q值高些？
A：什么频段的？低频的话好像用pdk里的说不定更准些。
Q：2.4G，Pdk里的面积好大啊，tsmc65nm中电感外面还包围着其他东西。
A：可能就是因为这样才准吧pdk自带了一些处理，自己绕应该也可以，不过可能自谐振频率会比较低看形状和线宽了，应该有几nH了吧。
Q：3.5n，Pdk的感觉也不是很准，和理想的ind和R串联的模型不是很等效。
A：看你带宽多少了，自己绕一个也行。
Q：带宽80M，蓝牙频段。
A：有没有可能是你这个等效太简单了，肯定pdk的准啊20G以下都是实测出来的数据。
Q：啊，这样子啊，那我打算用片外的了。
A：实际电感的等效模型很复杂的。
Q：是的，跟我算的有差距。
A：你也没考虑寄生电容吧？
Q：没有的，我就用串联电阻等效的。
A：那么长的线圈走线寄生电容也不小的，片外的话就得考虑键合线的影响。
Q：感谢各位，Q值大一些就行，我主要是Q值对我的电路影响太大了，片内的3.5n的电感Q值才14.5，面积还贼大356×365。
A：那就片外其实这个频率片上电感能有十几的Q就不错了，线宽都得二十um吧。
A：片上电感Q值15基本极限了。
A：那不至于，毫米波能20+。
A：对Q值要求很高，用键合线比较好。
Q：电感小一点能15以上，电感越大Q值越小。
A：pdk里能有14.5已经不错了。
Q：是的。
11在谐波测试中，是否需要使用外部滤波器来滤除主频？
Q：请问各位老师，在做谐波测试时，是否需要在频谱仪前使用外部滤波器，把主频滤除掉？按道理频谱仪里面也有滤波器，用外部滤波器测试前后，谐波差异30dB，是不是可以判断主频的确在频谱仪里面混出谐波了？
这是我用到的高通滤波器。
A：主频肯定要滤掉的，不然主频进到频谱仪里面，产生非线性，这个谐波能量就不一定是你这产品产生的，有可能是频谱仪带来的。如果你的主频功率大，进到频谱仪里面，过载也会产生很多非线性。
A：单机+高通滤波器，中间最好再加一个隔离器。
Q：我的主频是2.4G，频谱仪只打4～8G看谐波，依然会有主频在频谱仪里面混出谐波意思是频谱仪里面的滤波器，在Freq Range里面并不能完全把主频能量抑制吗？谢谢各位老师
GPT还是需要改善呀
测试谐波时，需不需要加高通滤波器，把主频滤掉?
测试谐波时，通常不需要加高通滤波器来滤掉主频信号。谐波是指在电力系统中，由于非线性负载的存在，电流和电压波形发生畸变，产生频率为基波频率整数倍的额外频率分量。这些频率分量就是谐波。
在测试谐波时，我们通常关注的是这些额外的频率分量，而不是基波频率分量。因此，测试设备(如频谱分析仪、谐波分析仪等)本身就会包含高通滤波器，用于滤除基波频率以下的信号，只显示谐波频率分量。
高通滤波器的截止频率设置通常会高于所关注的谐波频率范围，以确保只显示谐波分量。例如，如果关注的是50Hz电网频率的谐波，高通滤波器的截止频率可能会设置在50Hz以上，比如100Hz或更高。
在实际测试中，确保测试设备正确设置，并选择合适的谐波分析功能，就可以直接获取谐波频率分量的信息，而不需要额外添加高通滤波器。
所以说，在做RE，RSE等认证测试时，是需要增加陷波器，把主频滤除，以免在频谱仪中混出其他杂散频点对吗？
A：有条件最好用腔体的带阻滤波器。
A：GPT回答的这个，滤波器应该不能覆盖到你这种高频的吧？这个就只陷掉主频，窄带陷波器，其他的高低频杂散才能看到，如果用高通滤波器，低频的杂散就看不出来了。
A：频谱仪主频不饱和的前提下动态也有80左右，你是谐波抑制很大的话需要滤掉主频再看，频谱仪里面按频率划分为几段 ，频率低的只有低通 ，其他段有YIG电调滤波器，最好是不指望用频谱仪的。
Q：明白了，感谢各位的指导！
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