近日,英特尔宣布将与日本国立产业技术综合研究所(AIST)展开合作,共同投资约1000亿日元(折合7亿美元),在日本兴建一座最先进的半导体研发中心。该中心预计将于2027年正式投入运营。
据悉,新设施将在三到五年内建成,并将配备极紫外线光刻(EUV)设备,为行业内的设备制造商和材料公司提供原型设计和测试服务。这一举措将极大地促进日本半导体产业的发展,并提升其在全球半导体市场的竞争力。
值得一提的是,该中心将是日本首个允许行业成员共同使用极紫外线光刻设备的中心,为行业内的企业提供了一个共享资源、共同创新的平台。英特尔与AIST的合作,不仅有助于推动半导体技术的创新与发展,还将为日本的科技产业注入新的活力。
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