【AI技术支持】ESP32模组PSRAM的CS引脚上拉导致功耗上升处理

你是否曾遇到过？

在游戏机产品上，使用ESP32-WROOM-32E/ESP32-WROOM-32UE模组，ESP-IDF版本为IDF v5.1.1时，根据外围设计原理图介绍，在模组内置esp32芯片类型使用了QSPI PSRAM的情况下，IO16引脚必须接上拉电阻10K且不能用作其他功能。在这个设计下，外部psram启用时，psram的cs是输出低有效，IO16一直输出低电平会跟VDD33形成短路，即使串了一个10K电阻又因为外面无法修改IO16的引脚状态，从而导致深度睡眠的时有140uA的大电流，针对这种情况，该怎么去降低模组功耗呢？

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这是咋回事呢？

通过验证，之前使用不带psram的模组，深度睡眠的功耗测试为10uA；在10K上拉后IO16引脚端电压是1.67v， 计算 (3.3v-1.67)/10K=140ua，与目前的实际测试功耗值正好对应。根据以上信息确定是IO16上拉电阻10K电阻导致深度睡眠模式下的功耗增加。

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解决方案

SO easy！

解决方案1：硬件方案、由于该上拉电阻的作用是PSRAM 运行稳定性，无法直接去除，但是可以适当加大这个电阻的阻值来降低功耗；

解决方案2：软件方案、在项目的menuconfig配置中启用CONFIG_ESP_SLEEP_PSRAM_LEAKAGE_WORKAROUND配置项，此选项将设置 PSRAM 的 CS 管脚在睡眠期间为 PULL-UP 状态，从而避免psram的cs 引脚在浮空状态被识别为低电平时产生大的电流泄漏和保护PSRAM 中的数据不被被其他 SPI 引脚上的随机信号破坏。