0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

泰克先进半导体实验室 远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件

焦点讯 来源:焦点讯 作者:焦点讯 2024-11-01 11:13 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

氮化镓功率器件因其高速开关能力、高功率密度和成本效益而成为市场的热门选择。然而,由于工作电压和长期可靠性的制约,这些器件的潜力并未得到充分发挥,主要在消费电子领域内竞争价格。近期,随着高压氮化镓器件的陆续推出,我们看到了它们在更广泛市场应用中的潜力。

远山半导体最近发布了新一代高压氮化镓功率器件,并在泰克先进半导体实验室进行了详尽的测试,这些测试结果为我们提供了对远山半导体氮化镓功率器件性能的全面了解。目前,远山现有产品包括700V、1200V、1700V、3300V等多种规格的蓝宝石基氮化镓功率器件,多项性能指标处于行业内领先,主要应用于高功率PD快充、车载充电器、双向DC-DC、微型逆变器、便携储能、V2G等领域。

测试概览

泰克先进半导体实验室在今年9月收到了远山半导体寄送的新一代常开型(Normally-ON)高压氮化镓器件。为了解决氮化镓功率器件固有的电流崩塌问题,他们采用特有的极化超级结(PSJ:Polarization Super Junction)技术,将器件的额定工作电压和工作电流提升到(1200V/20A)。

对于器件的直流参数,选择在静态参数测试系统SPT1000A上进行测试。系统内置吉时利2657A高压源表和2636B高精度源表,最高可以支持3000V,1000A下的I-V和C-V特性测试。

在栅极电压-8V,Id=1uA的条件下,这款氮化镓功率器件的击穿电压BVDSS达到1505V。器件的阈值电压约为-3.9V。在器件导通条件下,Vgs=3V,Id=20A时,我们测得的静态导通电阻仅为 62.3mΩ。下图为关断条件下,漏电流Idss与反偏电压(0~1500V)的扫描关系曲线。

wKgZomckR2SALmVGAACAXalk4LA084.png

关断状态下反偏电压与漏电流关系曲线

在过往对氮化镓功率器件的动态开关参数测试中,采用DFN8x8封装的功率器件多为650V电压等级,双脉冲开关测试大多在400V条件下进行。在高压测试中,氮化镓器件比较容易出现电流崩塌现象,表现为硬开关过程中,导通电阻突然增大,如下图所示:

wKgaomckR2SAXcOlAAE6C9iIahM268.png

传统氮化镓功率器件在高压条件下开关测试容易出现的电流崩塌现象

下图是远山半导体提供的DFN8*8封装GaN HEMT器件在高压600V以及20A条件下进行开关测试的波形,栅极电压为-6V~+3V,使用同型号氮化镓器件作为陪测。(测试条件:同型号D-Mode 常开型氮化镓器件,Ron = Roff = 1Ω,负载电感 75uH,Vds: 600V,Vgs: -6V~+3V, Id: 20A)

wKgZomckR2WAOq0MAAEPU1nMHFg121.png

在测试过程中,使用了DPT1000A功率器件测试系统中的氮化镓测试电路,其中栅极探头使用1GHz带宽的TPP1000A,Vds测试使用800MHz带宽的高压单端探头TPP0850,电流探头使用T&M公司提供的2GHz电流传感器栅极驱动芯片使用了TI公司的LM5114,可以最高提供7A的瞬态电流。在测试结果中可以看到,蓝色的Vds波形在器件导通过程中电压非常接近0V,表示功率器件在高压下的硬开关操作,并没有导致导通电压的上升。

wKgaomckR2WAR8gOAAoJwlusXzU957.png

在实际测试结果中,器件的开启延迟Tdon为15.06ns,上升时间Tr为11.1ns,关断延迟为13.02ns,下降时间Tf为13ns。在高压大电流的硬开关条件下实现了极高的开关速度。

为了进一步检验在高压条件下的电流崩塌现象,我们通过使用钳位探头进行动态导通电阻测试,观察器件在不同电压条件下的导通电阻值变化。我们分别在300V,400V,500V,600V四个不同电压下测试器件的动态导通电阻,即使用钳位后的Vds与电流Id波形相除,得到器件在开启后的导通电阻波形。对比四组动态导通电阻波形,并在相同区域内取值做平均值计算,得到如下的结果:

wKgZomckR2eAKoJ3AAHYo2LKtbo085.png

上图红色区域为在300V,400V,500V,600V条件下双脉冲测试得到的动态导通电阻曲线

wKgaomckR2eAXCQrAAAJ3sRMG2I357.png

可以看到的是,随着测试电压的升高,器件动态导通电阻仅有非常小的抬升,600V与300V下的测试结果相比,仅上升6.4%,非常好的克服了氮化镓器件在高压条件下的电流崩塌现象。

结论

基于测试结果,可以看到远山半导体这次提供的氮化镓功率器件在高电压大电流条件下的良好表现,打破了传统氮化镓器件额定电压650V的限制,在双脉冲测试中表现出了良好的稳定性,在不同电压下的动态导通电阻测试也得到了非常一致的结果。

随着高压氮化镓器件的普及,通过设计和工艺的改进以及成本的进一步下降,相信氮化镓器件会在电力电子应用市场取得更大的市场空间,为智能电网、电动汽车、可再生能源系统等热门领域提供了新的可能性。

关于远山半导体

远山半导体是一家专注于氮化镓材料及功率器件研发与生产的高新技术企业,拥有一支来自于中国、日本、美国的国际化核心技术团队,具备“外延材料+芯片制造”的完整核心技术闭环与量产能力,主打面向新能源行业应用的中高功率工业级氮化镓功率器件。

关于泰克科技

泰克公司总部位于美国俄勒冈州毕佛顿市,致力提供创新、精确、操作简便的测试、测量和监测解决方案,解决各种问题,释放洞察力,推动创新能力。70多年来,泰克一直走在数字时代前沿。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31236

    浏览量

    266476
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2221

    浏览量

    95470
  • 氮化镓
    +关注

    关注

    67

    文章

    1915

    浏览量

    120130
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    昌龙智芯650V-3300V氧化功率器件发布:国产高压半导体实现从“跟跑”到“领跑”的跨越

    2026年4月,昌龙智芯正式发布覆盖650V至3300V电压等级的氧化功率器件系列,标志着我国在高压
    的头像 发表于 04-24 10:25 370次阅读

    意法半导体推出四款全新VIPERGAN氮化功率器件

    从快充充电器到工业自动化,氮化正成为高功率密度电源设计的核心选择。意法半导体近日推出四款全新VIPERGAN氮化
    的头像 发表于 04-11 16:17 2348次阅读
    意法<b class='flag-5'>半导体</b>推出四款全新VIPERGAN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>

    是德科技推出三款全新半导体教学实验室解决方案

    是德科技(NYSE: KEYS )近日宣布,推出三款全新的半导体教学实验室解决方案,旨在助力高校人才培养,帮助学生做好在全球半导体行业就业的准备。这三款解决方案分别为基础设计与测量、参数测试与晶圆上测量、光子集成电路测量,可以助
    的头像 发表于 04-02 13:53 270次阅读

    意法半导体推出氮化功率开关管半桥模块MasterGaN6

    意法半导体推出了MasterGaN系列氮化功率开关管半桥的第二产品MasterGaN6,该功率
    的头像 发表于 03-20 15:44 1764次阅读

    宏微科技携手怀柔实验室共同设立半导体合资公司

    2026年3月3日,由宏微科技(证券代码:688711)携手怀柔实验室共同设立的合资公司——北京宏微怀实半导体有限公司正式宣告成立。这标志着双方在推动碳化硅功率器件产业化方面迈出了关键
    的头像 发表于 03-05 16:35 868次阅读

    安森美推出垂直氮化功率半导体

    随着全球能源需求因 AI 数据中心、电动汽车以及其他高能耗应用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化(vGaN)功率半导体,为相关应用的功率
    的头像 发表于 10-31 13:56 2355次阅读

    兆易创新与纳微半导体数字能源联合实验室揭牌,加速高效电源管理方案落地

    兆易创新GigaDevice与纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)共同设立的“数字能源联合实验室”在合肥正式揭牌。该实验室将GD32 MCU领域的深厚积累,与纳微半导体在高频、高速
    的头像 发表于 10-13 13:52 662次阅读

    BW-4022A半导体分立器件综合测试平台---精准洞察,卓越测量

    可靠性保驾护航! 、严谨细微,铸就精准测试之魂 BW-4022A半导体分立器件综合测试平台采用先进的高精度传感器和精密的测量算法,如同拥有
    发表于 10-10 10:35

    深爱半导体 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块

    深爱半导体推出新品IPM模块 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模块) 是集成了功率器件、驱动电路、保护功能的“系统级”
    发表于 07-23 14:36

    现代集成电路半导体器件

    目录 第1章 半导体中的电子和空穴第2章 电子和空穴的运动与复合 第3章 器件制造技术 第4章 PN结和金属半导体结 第5章 MOS电容 第6章 MOSFET晶体管 第7章 IC中的MOSFET
    发表于 07-12 16:18

    功率半导体器件——理论及应用

    结构、器件的制造和模拟、功率半导体器件的应用到各类重要功率半导体
    发表于 07-11 14:49

    博世上海碳化硅功率半导体实验室介绍

    随着全球汽车产业加速向电动化、智能化转型,碳化硅功率器件凭借其高效率、高功率密度和耐高温特性,正成为下一代电驱动系统的核心技术。在此背景下,2025年1月,在上海正式设立碳化硅
    的头像 发表于 06-27 11:09 1324次阅读

    纳微半导体双向氮化开关深度解析

    前不久,纳微半导体刚刚发布全球首款量产级的650V双向GaNFast氮化功率芯片。
    的头像 发表于 06-03 09:57 3140次阅读
    纳微<b class='flag-5'>半导体</b>双向<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>开关深度解析

    从清华大学到未来科技,张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守!

    从清华大学到未来科技,张大江先生在半导体功率器件十八年的坚守!近年来,珠海市未来科技有限公司(以下简称“
    发表于 05-19 10:16

    安世半导体氮化器件助力浩思动力2025上海车展核心技术首秀

    安世半导体近日宣布,旗下先进氮化(GaN)器件成功应用于浩思动力(Horse Powertrain)首款超级集成动力系统—Gemini小
    的头像 发表于 04-29 10:48 3633次阅读
    安世<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>器件</b>助力浩思动力2025上海车展核心技术首秀