旋转编码器选择FeRAM需要考虑什么

FeRAM 是一种非易失性存储器，具有高速写入、高重写耐久性和低功耗的特点。利用这些特点，FeRAM 被广泛应用于需要高频率记录设备本身及其周围环境状态的工业和车载应用中。

加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司(即将更名为RAMXEED有限公司)提供的用于旋转编码器的 FeRAM(MB85RDP16LX)配有内部计数器和 FeRAM。这意味着，在用于计算电机转速的旋转编码器时，不会影响 FeRAM 本身的快速启动、高速写入和低功耗。存储在 FeRAM 中的数据的计算和写入是通过线圈的电动势等产生的少量电能完成的，因此即使没有电源，也能继续计算电机的转数。

为旋转编码器选择 FeRAM 的五个理由

01 快速启动速度

与闪存和其他存储器解决方案不同，FeRAM不需要升压电源或复杂的内部电源排序。这意味着不需要等待电源稳定，并且可以在电源打开后立即访问存储器。

02 高速写入和高重写耐久性

与EEPROM不同，FeRAM不需要写操作的等待时间，并且能够进行大量重写，使得在内存中(即在FeRAM中)进行数据计算成为可能。 由于MB85RDP16LX配备了内部计数器处理计算电路，可以在内存中进行数据的计数器计算处理，并将计算后的数据覆盖写入内存，而无需将之前的数据读出内存。

03 低功耗

FeRAM在写入数据时不需要升压电源，并且由于写入时间短，它所需的功率(能量)远低于其他类型的非易失性存储器。这使得它能够在能量收集等弱电源上运行，并且即使在电池供电系统中也能长时间运行。 04 抗磁场 MRAM是另一种能够进行类似于FeRAM的高速写操作的非易失性存储器。然而，由于MRAM使用磁场方向来存储数据位(1和0)，它对磁场非常敏感，因此需要使用防磁屏蔽来保护它，以防止数据损坏。 不建议在使用磁铁的地方，特别是电机周围使用MRAM。 由于FeRAM的存储单元结构，它对磁场和电场具有很高的抗性，并且对软件错误也有抵抗力，因此FeRAM也被用于太空应用(太空探索等)。

05 不需要电池

由于FeRAM是非易失性存储器，它不需要电池来存储数据，因此非常适合替代具有类似规格并以类似方式使用的电池备份SRAM(BB-SRAM)。

通过将BB-SRAM替换为FeRAM，可以从系统中去除电池，这在保护环境和降低维护成本方面都具有显著效果。 具有最佳规格的用于旋转编码器的非易失性存储器FeRAM 基于上述1-5点原因，MB85RDP16LX作为用于旋转编码器的FeRAM，可以在电源启动后立即开始工作，所需的电源供电时间极短，仅为20-30微秒，由旋转编码器内部的旋转磁铁和线圈产生的电力供电。它还可以在内存中进行数据计算，并在计算数据写入后立即关闭。

问题

线圈电动势供电的时间只有20-30微秒，这极其短暂。普通的非易失性存储器无法在如此短的时间内完成写操作。

解决方案

这种FeRAM产品(MB85RDP16X)能够在仅提供20-30微秒脉冲电源的环境中，正确读取先前数据、更新并保存计数器计算后的数据，并随时关闭。

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富士通半导体存储器解决方案有限公司将更名为RAMXEED有限公司，自2025年1月1日起生效。

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更名后，RAMXEED也将继续为客户提供高性能和高质量的FeRAM/ReRAM半导体存储器产品和服务。

关于富士通半导体存储器解决方案有限公司

富士通半导体存储器解决方案有限公司(即将更名为RAMXEED有限公司)成立于2020年3月，可为客户提供存储器产品和各种解决方案，主要是基于铁电随机存取存储器(FeRAM)，这是一种高质量、高可靠性的非易失性存储器。作为下一代存储器，富士通半导体存储器解决方案已经开始批量生产ReRAM(电阻式随机存取存储器)，它在读取数据时需要更少的功率，是小型可穿戴设备的理想选择，同时还在开发以碳纳米管为材料的非易失性存储器(NRAM)。

关于加贺富仪艾电子(上海)有限公司

加贺富仪艾电子(上海)有限公司原为富士通电子，其业务自2020年12月并入加贺集团，旨在为客户提供更好的优质产品和服务。在深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹加贺富仪艾电子在中国的销售业务。 加贺富仪艾电子(上海)有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服务，专用标准产品(ASSPs)，铁电随机存储器，继电器，GaN(氮化镓)，MCU和电源功率器件，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。