0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

PI推出业界首款1700V氮化镓开关IC

PI电源芯片 来源:PI电源芯片 2024-11-05 13:40 次阅读

深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成,是业界首款1700V氮化镓开关IC。

1700V额定耐压进一步提升了氮化镓功率器件的先进水平,此前的业界首创产品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激设计中轻松支持1000VDC额定输入电压,并在需要一个、两个或三个供电电压的应用中实现90%以上的效率。每路输出的调整精度都控制在1%以内,无需后级稳压器,并将系统效率进一步提高了约10%。在汽车充电器、太阳能逆变器、三相电表和各种工业电源系统等电源应用中,这种新型器件可取代昂贵的碳化硅(SiC)晶体管

Power Integrations技术副总裁Radu Barsan表示:“我们快速推进氮化镓产品的研发,在不到两年的时间内实现了三项全球首创的额定耐压水平:900V、1250V以及现在的1700V。我们的新型InnoMux-2 IC整合了1700V氮化镓技术和其他三项最新创新技术:独立、精确的多路输出调整技术;我们的次级侧控制(SSR)数字隔离通信技术FluxLink;以及几乎消除了开关损耗且无需有源钳位的零电压开关(ZVS)技术。”

Yole Group化合物半导体部门市场活动经理Ezgi Dogmus表示:“据我们所知,1700V额定耐压大大高于任何其他市售的氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)。到2029年底,功率氮化镓器件市场规模将达到20亿美元,并将扩展到各个应用领域,与碳化硅器件相比,其成本优势更具吸引力。”

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • PI
    PI
    +关注

    关注

    12

    文章

    210

    浏览量

    112136
  • 氮化镓
    +关注

    关注

    59

    文章

    1610

    浏览量

    116136
  • 电源IC
    +关注

    关注

    4

    文章

    361

    浏览量

    44638

原文标题:PI 推出1700V氮化镓开关IC,为氮化镓技术树立新标杆

文章出处:【微信号:Power_Integrations,微信公众号:PI电源芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    业内首1700V氮化开关IC登场!高耐压且效率大于90%,PI是如何做到的

    开关IC,这是业内首高达1700V氮化
    的头像 发表于 11-18 08:57 1409次阅读
    业内首<b class='flag-5'>款</b><b class='flag-5'>1700V</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>开关</b><b class='flag-5'>IC</b>登场!高耐压且效率大于90%,<b class='flag-5'>PI</b>是如何做到的

    GaN,又有新突破?

    级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。该芯片采用PI专有的PowiGaN™技术制造而成,支持更高母线电压的使用,是业界首1700V
    的头像 发表于 11-15 11:09 183次阅读
    GaN,又有新突破?

    Power Integrations推出1700V氮化开关IC, 为氮化技术树立新标杆

    ™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成,是业界首1700V氮化
    发表于 11-05 10:56 307次阅读
    Power Integrations<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1700V</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>开关</b><b class='flag-5'>IC</b>, 为<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>技术树立新标杆

    供应SW1108P集成氮化直驱的高频准谐振IC

    概述 SW1108P 是一针对离线式反激变换器的高性能高集成度准谐振电流模式 PWM 控制器。 SW1108P 内置 6V 的驱动电压,可直接用于驱动氮化功率管;芯片工作于带谷底锁
    发表于 11-04 09:00

    供应SW1102集成氮化直驱的准谐振模式反激控制IC

    功能的谷底开启模式开降低开关损耗, 在空载和轻载时,控 制器切换至 BURST 模式工作以优化轻载效率;空载待机功耗小于 50mW。 SW1102 内置 6V 的驱动电压,可直接用于驱动氮化
    发表于 11-04 08:58

    氮化(GaN)的最新技术进展

    本文要点氮化是一种晶体半导体,能够承受更高的电压。氮化器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。
    的头像 发表于 07-06 08:13 768次阅读
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>(GaN)的最新技术进展

    新思科技推出业界首PCIe 7.0 IP解决方案

    《Acquired》栏目邀请,共同分享了当前全球EDA(电子设计自动化)领域的前沿技术进展,以及EDA如何加速人工智能(AI)、智能汽车等核心科技产业变革,赋能万物智能时代加速到来。   新思科技推出业界首
    的头像 发表于 06-29 15:13 570次阅读

    Transphorm携手伟诠电子推出新型系统级封装氮化器件

    全球氮化功率半导体行业的领军者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成电路的佼佼者伟诠电子联合宣布,双方已成功推出新型系统级封装
    的头像 发表于 05-23 11:20 595次阅读

    Transphorm与伟诠电子合作推出新款集成型SiP氮化器件

    氮化产品系列。 新推出的两SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关
    的头像 发表于 04-25 10:46 462次阅读

    国产GaN迎来1700V突破!

    该文献进一步透露,实现这一器件所采用的氮化外延材料结构包括:1.5μm薄层缓冲层和AlGaN/GaN异质结结构。
    发表于 01-25 11:30 414次阅读
    国产GaN迎来<b class='flag-5'>1700V</b>突破!

    氮化是什么结构的材料

    氮化(GaN)是一种重要的宽禁带半导体材料,其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构:
    的头像 发表于 01-10 10:18 3098次阅读

    氮化开关管的四个电极是什么

    氮化开关管是一种新型的半导体器件,适用于高频高压控制信号的开关应用。它由四个电极组成,包括栅极(G,Gate)、源极(S,Source)、漏极(D,Drain)和衬底(B,Body)
    的头像 发表于 12-27 14:39 1057次阅读

    瞻芯电子推出1700V SiC MOSFET助力高效辅助电源

    11月27日,瞻芯电子开发的首1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω,
    的头像 发表于 11-30 09:39 1662次阅读
    瞻芯电子<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1700V</b> SiC MOSFET助力高效辅助电源

    什么是氮化合封芯片科普,氮化合封芯片的应用范围和优点

    氮化功率器和氮化合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化具有高电子迁移率和稳定性
    的头像 发表于 11-24 16:49 835次阅读

    氮化是什么材料提取的 氮化是什么晶体类型

    氮化是什么材料提取的 氮化是一种新型的半导体材料,需要选用高纯度的金属和氨气作为原料提取,具有优异的物理和化学性能,广泛应用于电子、通
    的头像 发表于 11-24 11:15 2875次阅读