英飞凌推出新款CoolGaN™晶体管，促进高压器件市场发展

英飞凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高压分立器件系列——CoolGaN™晶体管650 V G5，进一步丰富了其氮化镓(GaN)产品组合。这一新产品系列的推出，不仅为消费和工业开关模式电源(SMPS)提供了新的技术选择，也为诸如USB-C适配器、充电器、照明系统、电视、数据中心和电信整流器，以及可再生能源和家用电器中的电机驱动等广泛应用提供了支持。

CoolGaN 650 V G5晶体管旨在直接替代CoolGaN晶体管600 V G1，旨在促进现有平台的迅速重新设计。这一新一代产品在设计上进行了优化，确保其在关键应用中的开关性能具有竞争力。相较于之前的产品系列，CoolGaN 650 V G5在多个性能指标上都显著提升，例如输出电容中存储的能量(Eoss)减少了50%，漏源电荷(Qoss)减少了60%，而栅极电荷(Qg)同样减少了60%。这些显著的改进使得其在软开关和硬开关应用中能够实现卓越的效率，功率损耗相比传统硅技术大幅降低，降低范围在20%至60%之间，这一幅度取决于具体应用场景。

除了效率的提升，CoolGaN 650 V G5的高频运行能力也得到了增强，使得器件在保持极低功率损耗的同时，能够实现优秀的功率密度。这一特性使得SMPS应用在体积上更小、更轻，或者在特定外形尺寸内能够扩展输出功率范围，从而为工程师在产品设计时提供更多灵活性。

新推出的高压晶体管系列还提供了多种RDS(on)封装组合选择，以满足不同应用需求。ThinPAK 5×6、DFN 8×8、TOLL和TOLT等封装类型均属于提供多达十种RDS(on)类别的SMD封装。这些产品在奥地利菲拉赫和马来西亚居林的高性能8英寸生产线上制造，而英飞凌未来还计划将CoolGaN产品线转向12英寸生产，这将进一步增强其CoolGaN的产能，确保氮化镓功率市场的稳定供应链。

根据Yole Group的预测，GaN功率市场预计到2029年将达到20亿美元，英飞凌凭借CoolGaN 650 V G5的推出，正积极布局这一快速发展的市场。公司希望通过持续的技术创新和产品优化，为客户提供更高效、更可靠的解决方案，以满足未来市场的需求。

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