即刻报名诚邀您参加意法半导体高压功率(HV)MOSFET研讨会 - 11.19杭州站/11.21深圳站!了解更多ST HV MOSFET技术及产品,助力增强产品,潜力和市场优势。
意法半导体的HV功率MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(250到1700V)、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体的MDmesh高压MOSFET技术增强了功率处理能力,从而实现了高效解决方案。同时产品支持的应用电压范围大,可用于工业及汽车应用,如开关模式电源、照明、DC-DC转换器、电机控制和车载充电、电池管理系统等等,无论哪一种应用,ST都有符合您设计要求的功率MOSFET。
研讨会亮点:
技术深度解析——将详细介绍HV MOSFET产品的先进封装技术、宽泛的击穿电压范围(250到1700V)、低栅极电荷和低导通电阻等特性。同时,还将展示MDmesh高压MOSFET技术如何增强功率处理能力,实现高效解决方案。
应用实例分享——将分享HV MOSFET在工业及汽车应用中的成功案例,包括开关模式电源、照明、DC-DC转换器、电机控制和车载充电、电池管理系统等。无论您的应用需求如何,意法半导体都有符合您设计要求的功率MOSFET。
最新产品与技术展示——将展示ST最新的高压功率(HV)MOSFET技术方案,以及(HV)MOSFET产品技术路标、应用指导及可靠性认证,M9/DM9系列、K6系列等前沿技术和产品。
ST高压功率(HV)MOSFET研讨会——杭州站
会议时间:2024年11月19日(周二)09:00 - 18:00
会议地址:杭州JW万豪酒店,浙江杭州拱墅区湖墅南路28号310006
ST高压功率(HV)MOSFET研讨会——深圳站
会议时间:11月21日 09:00 - 18:00
会议地址:深圳南山香格里拉酒店,广东深圳南山区白石三道深湾汇云中心五期J座
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原文标题:诚邀您参加:ST高压功率(HV)MOSFET研讨会—11.19杭州站/11.21深圳站
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