来源: 电力电子技术与应用
1、中国IGBT芯片应用领域:三大类产品的应用场景IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、高速开关特性和低导通状态损耗等特点,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。目前IGBT已经能够覆盖从600V-6500V的电压范围,按照使用电压的情况,IGBT可以分为低压、中压和高压三大类产品,不同的电压范围适用不同的应用场景。
2、中国不同电压等级IGBT芯片应用及厂商布局情况低压IGBT一般电压在1200V及以下,且适用于低消耗的消费电子和太阳能逆变器领域,中国本土厂商几乎都有布局低压领域。中压IGBT一般电压在1200-2500V,适用于新能源汽车、风力发电等领域,由于碳中和计划的持续推行以及新能源领域的高速发展,该领域是中国IGBT本土厂商未来主要发力的领域。高压IGBT一般电压大于2500V,主要适用于高铁、动车、智能电网等领域,中国本土厂商仅中车时代和斯达半导有所布局,中国高铁里程数全球第一,需求量大,促进中上游技术发展,因此该领域率先实现了国产替代。
3、中国IGBT厂商产品电压覆盖范围:厂商多集中在中低压市场中国的IGBT厂商多集中在中低压市场,如宏微科技、比亚迪半导体、士兰微、新洁能等厂商的IGBT产品均集中在1500V以下的IGBT市场,产品主要适用于新能源汽车、家电、电焊机等领域,时代电气和斯达半导则在高压3300V及以上也有布局,产品主要适用于高铁、电网传输等。
注:蓝底表示产品有所覆盖。4、中国高压IGBT芯片技术突破及瓶颈:主要有4个技术瓶颈
在不同的功率以及频率范围中,对器件的特性要求有所不同。在大功率的应用场景中,例如轨道交通、直流输电,此时器件的开关频率非常低,开关损耗导致的发热量较低,主要以导通损耗为主。而在设备功率较小的时候,例如白色家电、伺服电机等领域,工作频率较高,导通损耗占比较低,开关损耗产生的热量较大。因此,在实际的工作时,需要根据应用要求,进行折中优化设计,才能使系统的效率达到最大化。
2021年7月,国务院国资委向全社会发布《中央企业科技创新成果推荐目录(2020年版)》,包括核心电子元器件、关键零部件、分析测试仪器和高端装备等共计8个领域、178项科技创新成果。其中,全球能源互联网研究院有限公司研制的3300伏特(V)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片和模块被列入目录。历时4年,联研院攻关团队突破了制约国内高压IGBT发展坚固性差、可靠性低等技术瓶颈,打破了国外技术垄断。该团队牵头承担的国家重点研发计划项目“柔性直流输电装备压接型定制化超大功率IGBT关键技术及应用”通过了工业和信息化部组织开展的综合绩效评价。项目自主研制出满足柔性直流输电装备需求的4500V/3000A低通态压降和3300V/3000A高关断能力IGBT器件,解决了高压大容量压接型IGBT芯片和器件缺乏的问题。
高压IGBT芯片和器件的开发周期长,涉及到材料、芯片设计、芯片工艺、器件封装与测试各个环节,需要多学科交叉融合、多行业协同开发。
根据联研院功率半导体研究所所长表示,当前,研发面向电力系统应用的高压IGBT器件的技术瓶颈主要有4个方面:
以上数据来源及分析请参考于前瞻产业研究院《中国IGBT芯片行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》
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