制程工艺在很大程度上会决定处理器的性能和功耗,这是先天硬件,14/16nm工艺之后是10nm节点,TSMC及三星都争着在今年底或者明年初推出10nm代工服务,Intel明年下半年量产10nm工艺,但GlobalFoundries决定跳过10nm节点,相对来说,10nm工艺被认为是14/16nm工艺的优化版,跟20nm工艺那样偏向低功耗,属于过渡节点,而GlobalFoundries自己也经不起折腾,索性跳过这一节点,直接杀向未来高性能的7nm节点。那么号称史上最强手机处理器的A10,也就是苹果在 iPhone 7 和 7 Plus 上配备的A10 Fusion 处理器到底怎么样?
苹果在 iPhone 7 和 7 Plus 上配备了 A10 Fusion 处理器,这款处理器的性能有了很大的提升,让业界大为惊叹。甚至有人认为,A10 Fusion 的评测成绩已经可以与英特尔笔记本CPU相提并论。那么到底苹果的 A10 Fusion 处理器到底是一个什么样的“怪物”,能让业界发出这样的评价呢?Chipworks 为我们详细介绍了这款芯片。
根据拆解我们知道,A10 的零件号码是 APL1W24, 339S00255,此前 iPhone 6s 使用的 A9 处理器,它的零件号码 APL1022, 339S00129。我们无法确定苹果在零件号中增加一个“W”是什么意思。iPhone 7 A1778 中使用的 A10 处理器由台积电代工。也许你还记得,去年 A9 处理器有三星和台积电两家代工厂,但是目前还无法确定今年苹果继续使用双供应渠道的模式,还是将处理器订单全部交给了台积电。Chipworks 表示通过模具照片可以看到模具零件号码是 TMGK98。A10 的芯片尺寸为 125 平方毫米,据称这块芯片上有 33 亿晶体管。
已经可以确定这款芯片仍然使用台积电的16 纳米 FinFET制程,这也意味着在过去 3 代处理器上,苹果一直沿用了相同的 20/16 纳米技术,在经过两代芯片的改进之后,苹果终于让 A10 芯片的晶体密度变成和 A8 一样的,在平面工艺方面进行优化。
从 A9 到 A10 的一个显著区别就是 SoC 级别的芯片利用更进一步,与 A8 的持平。16FFC 制程的 9-Track 和 7.5-Track 单元可能够让芯片的面积不至于飙升到 150 平方毫米。
我们已经感受过从 20 纳米到 16FF FinFET,架构和设计对设备级性能提升的影响有多大,而且 16FFC 中预期的完善将能够有利于速度继续提升,能耗进一步减少。这也说明了 SoC 的优化将不仅仅限于面积大小,它还有很多方面可以完善,这也能让行业更好地明白如何利用最新的或者此前的工艺节点来更好地提升芯片性能。
A10 Fusion 芯片性能提升的另外一个原因是封装方式的变化。A10处理器非常薄,主要就是因为台积电使用了 InFo(Integrated Fan-Out:整合扇出封装)技术。
和 iPhone 6s 中的一样,A10上方就是三星的 K3RG1G10CM 2-GB LPDDR4内存。从X射线图片来看,四个模具并不是堆积在一起的,而是分散封装,这样整个封装的厚度就能降到最低。以封装叠加(Package-on-Package,PoP)的方式来封装能够大大降低 PoP 的高度。
按照苹果的说法,A10 Fusion 性能是第一代 iPhone 芯片的 120 倍,比 iPhone 6s 中的 A9 提升 40%。你是否感受到 A10 芯片带来的极速体验。
iPhone7 Plus采用苹果 A10 Fusion 芯片(下图红色处,型号为 APL1W24)、三星 3 GB LPDDR4 RAM(型号为 K3RG4G40MM-YGCH)、高通 MDM9645M LTE Cat. 12 基带(下图橘色处)、东芝 128 GB NAND Flash(型号为 THGBX6T0T8LLFXF)等元件。
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