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TPHR9003NL: 高性能 MOSFET 的理想选择

jf_45356764 来源:jf_45356764 作者:jf_45356764 2024-11-12 13:53 次阅读

TPHR9003NL 是东芝电子设备与存储公司开发的一款高性能 N 通道 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),它以其卓越的电气性能和多功能性,被广泛应用于多种现代电子设备中,特别是电压调节器和 DC-DC 转换器等场景。

1. 应用领域

TPHR9003NL 主要用于电压调节器DC-DC 转换器。这些设备广泛存在于移动设备、电源系统和通信基础设施中,MOSFET 的高效开关能力有助于降低系统的功耗并提高转换效率。此外,它还能够应用于汽车电子工业控制以及各种嵌入式系统中,适应各种不同环境的需求。

2. 关键特性

TPHR9003NL 的成功在于其出色的电气性能结构设计。以下是该器件的几个关键特性:

高速开关:该 MOSFET 具有极快的开关速度,使其在需要快速响应的应用中表现出色。

低栅极电荷:典型值为 16 nC。较低的栅极电荷意味着更低的驱动损耗,从而提高了整个系统的效率。

低漏源导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS=4.5V 的情况下,典型值为 1.1 mΩ。这一特性减少了传导损耗,有助于提高设备的能源利用率。

低漏电流:最大值仅为 10 µA,表明其在高压环境下漏电流的影响非常小,进一步提高了系统的稳定性和可靠性。

增强模式:其阈值电压范围在 1.3 V 至 2.3 V 之间,确保了 MOSFET 在开启状态时能够有效控制电流。

这些特性使得 TPHR9003NL 能够在高效能系统中发挥重要作用,特别是在需要高速切换和低功耗的应用中。

3. 结构和封装

TPHR9003NL 采用了SOP Advance封装,其设计考虑了在有限的空间内提供良好的热管理和电气性能。该封装有以下优势:

尺寸紧凑:适用于空间有限的设计,特别是那些需要高度集成的电路。

低热阻:在 Tc = 25°C 时,沟道到外壳的热阻为 1.60°C/W,确保了 MOSFET 在高功率操作时能够有效散热。

重量轻:约 0.087 克,适合于轻量化设计需求。

这种封装设计使得 TPHR9003NL 在提供高性能的同时,也能够适应紧凑的电子设备。

4. 绝对最大额定值

根据产品规格,TPHR9003NL 的一些关键最大额定值包括:

漏-源电压 (VDSS):最大 30 V

栅-源电压 (VGSS):最大 ±20 V

漏极电流 (ID):在 Tc=25°C 时,最大 220 A(DC),60 A(脉冲)

功率耗散:最大值为 78 W,表明其能够在较高功率的应用中稳定运行。

此外,TPHR9003NL 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,使其在各种极端环境下均能保持可靠的性能。

5. 热性能

TPHR9003NL 在设计中考虑了热性能的优化。其热特性包括:

沟道到壳体的热阻 (Rth(ch-c)):1.60°C/W

沟道到环境的热阻 (Rth(ch-a)):根据安装方式的不同,分别为 44.6°C/W 和 78.1°C/W

这些热阻特性确保了器件在高功率操作中能够有效地散热,避免过热损坏,延长设备的使用寿命。

6. 电气特性

TPHR9003NL 的电气特性非常出色,以下是一些主要参数

漏极截止电流:最大值 10 µA

漏源击穿电压:最小值 30 V

栅极阈值电压:在 ID = 1.0 mA 时,范围为 1.3 至 2.3 V

输入电容 (Ciss):典型值 5300 pF

在动态特性方面,它的开关时间极短,例如典型的上升时间 (tr) 为 9.6 ns,下降时间 (tf) 为 15 ns。这些性能使其特别适合高频应用场景,能够极大地提高系统的响应速度和效率

结论

综上所述,东芝的 TPHR9003NL 是一款性能优越的 MOSFET,凭借其低导通电阻、高开关速度以及出色的热管理特性,在需要高效能和低功耗的应用中表现尤为突出。它广泛应用于电压调节器、DC-DC 转换器以及其他需要高频开关和低损耗的系统中。对系统设计者而言,TPHR9003NL 是优化性能和提高能效的理想选择。

审核编辑 黄宇

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