0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三菱电机提供SiC MOSFET裸片样品

三菱电机半导体 来源:三菱电机半导体 2024-11-14 14:43 次阅读

近日,三菱电机集团宣布,将于11月14日开始提供用于电动汽车(EV)、插电式混合动力汽车(PHEV)和其他电动汽车(xEV)电驱逆变器的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET)裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片,将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求,并推动xEV的日益普及。这款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片结合了特有的芯片结构和制造技术,有助于提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率,为脱碳目标做出贡献。

功率半导体,作为促进全球脱碳的关键器件,能够高效转换电力,需求日益增多。特别是在汽车行业,车辆电动化能减少温室气体排放,推动了用于电机驱动逆变器和其他功率转换设备的多样化功率半导体的需求。其中,碳化硅(SiC)功率半导体因其能显著降低功率损耗而备受期待。三菱电机于1997年开始量产用于xEV的功率半导体模块,为提高包括热循环耐性在内的可靠性和解决逆变器小型化问题做出了贡献,并已应用于各种电动汽车(EV)和混合动力电动汽车(HEV)。2024年3月,该公司开始供应J3系列xEV功率半导体样品,该系列产品采用最新压注模(T-PM)技术实现小型化设计,在汽车市场得到广泛应用。

三菱电机的新型功率半导体芯片是一种特有的沟槽栅*SiC-MOSFET,与传统的平面栅**SiC-MOSFET相比,其功率损耗降低了约50%。特有的制造技术,如抑制功率损耗和导通电阻波动的栅极氧化膜工艺,让新款芯片更加耐久稳定,有助于提高逆变器的耐用性和xEV性能。

未来,三菱电机将继续致力于提供高品质、低功率损耗的SiC-MOSFET裸片,让高性能xEV更加普及,从而为构建一个更加低碳的世界做出贡献。

产 品 特 点

特有的沟槽栅SiC-MOSFET延长了xEV的续航里程并降低了电力成本

采用了三菱电机在制造Si功率半导体芯片过程中积累的先进小型化技术,与传统的平面栅SiC-MOSFET相比,导通电阻更低。

采用倾斜离子注入替代传统的垂直离子注入,降低了开关损耗。

与传统的平面栅SiC-MOSFET相比,功率损耗降低了约50%,从而提高了逆变器性能,延长了xEV的续航里程,并降低了电力成本。

特有制造技术助力提升xEV性能

三菱电机采用独特的制造技术,生产沟槽栅SiC-MOSFET,这项技术是三菱电机在20多年平面栅SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(SBD)的研究和制造中总结出来的。如三菱电机特有的栅极氧化膜工艺,抑制了由重复开关引起的功率损耗和导通电阻波动,让逆变器更加耐用,xEV性能更加稳定。

主要规格

型号 WF0009Q-1200AA WF0008Q-0750AA
应用 xEV
额定电压 1200V 750V
导通电阻 9.0mΩ 7.8mΩ
正面电极 兼容焊料键合
背面电极 兼容焊料键合和银烧结键合
样品价格 依据报价
样品开始提供日期 2024年11月14日
环保意识 本产品符合RoHS***指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

*沟槽栅:在晶圆表面挖出沟槽(trench),并将栅极嵌入其中

** 平面栅:栅极放置在晶圆表面

***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2024年3月31日的财年,集团营收52579亿日元(约合美元348亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    144

    文章

    7080

    浏览量

    212656
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    26988

    浏览量

    215981
  • 三菱电机
    +关注

    关注

    0

    文章

    171

    浏览量

    20620
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    29

    文章

    2757

    浏览量

    62430

原文标题:【新品】三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品

文章出处:【微信号:三菱电机半导体,微信公众号:三菱电机半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三菱电机提供200Gbps PIN-PD芯片样品

    三菱电机集团近日宣布提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管(PD)芯片样品,以支持800Gbps和1.6Tbps光纤通信。三菱
    的头像 发表于 11-14 15:06 243次阅读
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>电机</b><b class='flag-5'>提供</b>200Gbps PIN-PD芯片<b class='flag-5'>样品</b>

    三菱电机SiC器件的发展历程

    三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史,从基础研究、应用研究到批量商业化,从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆,三菱电机一直致力
    的头像 发表于 07-24 10:24 543次阅读
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>电机</b><b class='flag-5'>SiC</b>器件的发展历程

    三菱电机功率器件发展史

    三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史,从早期的二极管、晶闸管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱
    的头像 发表于 07-24 10:17 547次阅读
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>电机</b>功率器件发展史

    三菱plc型号区别在哪

    三菱PLC(Programmable Logic Controller,可编程逻辑控制器)是日本三菱电机公司生产的一种工业自动化控制设备。三菱PLC以其高性能、高可靠性和易用性而闻名于
    的头像 发表于 07-01 10:38 2227次阅读

    三菱电机发布新型低电流SiC-MOSFET模块

    三菱电机集团近日宣布推出两款新型低电流版本的肖特基势垒二极管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET模块,以满足大型工业设备市场对高性能逆变器日益增长的需求。这两款新模块分别是3.3kV/400A和3.3kV/200A规格,将于6月
    的头像 发表于 06-12 14:51 832次阅读

    三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块

    三菱电机集团近日宣布,从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大型工业设备提供低电流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基势垒二极管(SBD)嵌入式SiC-MOSFET
    的头像 发表于 06-12 14:17 683次阅读

    三菱电机将开始提供其新型光器件样品—内置波长监视器的DFB*1-CAN

    三菱电机集团近日(2024年3月21日)宣布,将于4月1日开始提供其新型光器件样品——内置波长监视器的DFB*1-CAN。这种创新的新型光源是业界率先使用TO-56CAN*2封装进行高
    的头像 发表于 03-22 14:45 466次阅读
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>电机</b>将开始<b class='flag-5'>提供</b>其新型光器件<b class='flag-5'>样品</b>—内置波长监视器的DFB*1-CAN

    三菱电机将于4月开始在熊本县菊池市建设新SiC厂房

    三菱电机计划在熊本县菊池市的现有工厂厂区内投资约1000亿日元(折合人民币约48.56亿元)建设新的SiC(碳化硅)晶圆厂。
    的头像 发表于 03-21 11:26 654次阅读

    三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品

    三菱电机集团近日(2024年2月27日)宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET
    的头像 发表于 02-28 18:18 1178次阅读

    索尼银行投资三菱机电,扩大SiC产能

    三菱电机株式会社是一家成立于1921年的通用电子制造商,致力于“半导体于器件”业务领域发展。三菱根据国际资本市场协会 (ICMA)实施的“绿色债券原则2021” (Green
    的头像 发表于 01-29 16:21 762次阅读
    索尼银行投资<b class='flag-5'>三菱</b>机电,扩大<b class='flag-5'>SiC</b>产能

    三菱电机提供功率半导体模块优化电动摩托车性能

    来源:Silicon Semiconductor   三菱电机和LiveWire合作实现电动摩托车的最佳性能。 三菱电机美国公司及其半导体和器件部门(SDD)与LiveWire EV,
    的头像 发表于 01-24 15:51 448次阅读

    索尼银行投资三菱机电300亿日元债券扩大SiC产能

    1月15日,日本索尼银行官网公布关于投资三菱电机株式会社发行绿色债券的公告称,已经投资了该债券,希望通过提高SiC功率半导体的产能,实现脱碳社会。
    的头像 发表于 01-22 11:34 781次阅读
    索尼银行投资<b class='flag-5'>三菱</b>机电300亿日元债券扩大<b class='flag-5'>SiC</b>产能

    三菱电机与Nexperia共同开启硅化碳功率半导体开发

    三菱电机公司宣布将与Nexperia B.V.结成战略合作伙伴关系,共同为电力电子市场开发硅碳(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其广带隙半
    的头像 发表于 11-30 16:14 430次阅读
    <b class='flag-5'>三菱</b><b class='flag-5'>电机</b>与Nexperia共同开启硅化碳功率半导体开发

    三菱电机与安世宣布将联合开发高效的碳化硅(SiC)功率半导体

    2023年11月,日本三菱电机、安世半导体(Nexperia)宣布,将联合开发高效的碳化硅(SiCMOSFET分立产品功率半导体。
    的头像 发表于 11-25 16:50 756次阅读

    三菱电机将与安世携手开发SiC功率半导体

    虽然是同一电力半导体公司,但是三菱电机与安世半导体的另一个焦点、电子电力半导体为中心的“各离散元件的组合”,高性能sic模块产品的信赖性的性能提供业界名声;onse半导体元件的开发、生
    的头像 发表于 11-24 12:28 689次阅读