三星电子计划新建封装工厂，扩产HBM内存
三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂，以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施，进一步提升三星电子在半导体领域的生产能力。
据悉，三星电子将以租赁形式获得三星显示位于天安市的一幢大楼使用权，用于新建封装工厂。在三年内，三星电子将陆续为该建筑导入生产HBM等所需的高端半导体后端加工设备，以确保新工厂能够顺利投产。
此次扩建计划不仅有助于三星电子提升HBM内存的产能，还将进一步巩固其在半导体封装领域的领先地位。未来，三星电子将继续加大在半导体领域的投资力度，推动技术创新和产业升级。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
三星电子
+关注
关注
34文章
15885浏览量
181770 -
封装
+关注
关注
127文章
8200浏览量
144039 -
内存
+关注
关注
8文章
3085浏览量
74703
发布评论请先 登录
相关推荐
美光新加坡HBM内存封装工厂破土动工
近日，全球领先的HBM内存制造商之一——美光宣布，其位于新加坡的HBM内存先进封装工厂项目已于当地时间今日正式破土动工。这座
三星苏州先进封装厂将扩产
，内部封装工艺的重要性正在上升。为此，三星正集中力量提升封装能力，以保持技术领先并缩小与 SK Hynix 的差距。 业内人士消息称三星电子
英伟达加速认证三星AI内存芯片
近日，英伟达公司正在积极推进对三星AI内存芯片的认证工作。据英伟达CEO透露，他们正在不遗余力地加速这一进程，旨在尽快将三星的内存解决方案融入其产品中。 此次认证工作的焦点在于
三星扩建HBM生产设施，预计2027年完工
三星电子公司近日宣布了一项重大投资决策，计划扩建其位于韩国忠清南道的半导体封装设施，以提高高带宽存储器（HBM）的产量。这一举措标志着
三星或将HBM产能目标下调至每月17万颗
据业内人士透露，三星电子已对其2025年底的高带宽内存（HBM）最大产能目标进行了调整，下调幅度超过10%，从原先计划的每月20万颗减至17
三星、SK海力士及美光正全力推进HBM产能扩张计划
近期，科技界传来重要消息，三星、SK海力士及美光三大半导体巨头正全力推进高带宽内存（HBM）的产能扩张计划。据预测，至2025年，这一领域的
三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动
进入八月，市场传言四起，韩国存储芯片巨头三星电子（简称“三星”）的8层HBM3E内存（新一代高带宽内存
三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资
据韩国媒体最新报道，三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线，并预计该
三星电子重组架构，加速HBM技术创新
在半导体技术日新月异的今天，三星电子再次展现了其作为行业领导者的前瞻视野与战略布局。据韩国媒体最新报道，三星电子已正式启动了组织重组计划，旨
三星将于今年内推出3D HBM芯片封装服务
近日，据韩国媒体报道，全球领先的半导体制造商三星即将在今年推出其高带宽内存（HBM）的3D封装服务。这一重大举措是三星在2024年
三星HBM芯片遇阻英伟达测试
近日，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片在英伟达测试中遭遇挫折。据知情人士透露，芯片因发热和功耗问题未能达标，影响到了其HBM3及下一代
三星联席CEO在AI合作交流中力推HBM内存
庆桂显此行主要推广三星的HBM内存，并探索AI合作可能性。然而，由于此前在HBM策略上出现失误，三星已被竞争对手SK海力士超越；位于第
工商网监
评论