能源是经济社会发展的重要物质基础和动力源泉。近些年,“双碳”战略引领能源转型革命,发展绿色低碳新质生产力既是解决全球环境问题的重要保障,更是国家经济与民生福祉的必然要求。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称是“绝缘栅双极型晶体管”,在新能源大功率电力电子设备中发挥着关键作用,兼具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
在相关政策的带动下,我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等领域得到了飞速发展,光伏及风能发电、新能源汽车、储能、数据中心等新的应用也日益成熟,此类应用对IGBT产品具有旺盛的需求,并在产品性能、技术参数、可靠性等方面提出了较高要求。
芯导科技现已推出,采用第7代工艺技术的IGBT产品系列,具有如下优势:
采用精细沟槽结构,窄pitch和发射极载流子存储IGBT技术
国内最先进12吋IGBT晶圆加工工艺,具有良好的参数一致性
低导通压降,正温度系数,易于并联使用
高短路耐量
低开关损耗
650V/1200V 小电流产品系列采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式,适用工业控制、电动汽车PTC等领域应用:
芯导科技SiC SBD混封IGBT产品系列,具有开关频率快、反向恢复损耗极低的特点,应用于光伏和不间断电源领域。
1200V 100A以上大电流产品系列,主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式,适用于储能等领域:
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原文标题:IGBT产品推荐 | 采用第七代工艺,芯导科技推出650V/1200V 高性能IGBT产品
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