0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

芯导科技推出650V/1200V高性能IGBT产品

芯导科技Prisemi 来源:芯导科技Prisemi 2024-11-15 11:09 次阅读

能源是经济社会发展的重要物质基础和动力源泉。近些年,“双碳”战略引领能源转型革命,发展绿色低碳新质生产力既是解决全球环境问题的重要保障,更是国家经济与民生福祉的必然要求。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)全称是“绝缘栅双极型晶体管”,在新能源大功率电力电子设备中发挥着关键作用,兼具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

在相关政策的带动下,我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等领域得到了飞速发展,光伏及风能发电、新能源汽车、储能、数据中心等新的应用也日益成熟,此类应用对IGBT产品具有旺盛的需求,并在产品性能、技术参数、可靠性等方面提出了较高要求。

芯导科技现已推出,采用第7代工艺技术的IGBT产品系列,具有如下优势:

采用精细沟槽结构,窄pitch和发射极载流子存储IGBT技术

国内最先进12吋IGBT晶圆加工工艺,具有良好的参数一致性

低导通压降,正温度系数,易于并联使用

高短路耐量

低开关损耗

650V/1200V 小电流产品系列采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式,适用工业控制、电动汽车PTC等领域应用:

76c5854c-906b-11ef-a511-92fbcf53809c.png

芯导科技SiC SBD混封IGBT产品系列,具有开关频率快、反向恢复损耗极低的特点,应用于光伏和不间断电源领域。

76d9dd30-906b-11ef-a511-92fbcf53809c.png

1200V 100A以上大电流产品系列,主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式,适用于储能等领域:

76f2250c-906b-11ef-a511-92fbcf53809c.png

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1269

    文章

    3855

    浏览量

    250568
  • 芯导科技
    +关注

    关注

    0

    文章

    31

    浏览量

    2639

原文标题:IGBT产品推荐 | 采用第七代工艺,芯导科技推出650V/1200V 高性能IGBT产品

文章出处:【微信号:Prisemi,微信公众号:芯导科技Prisemi】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    相关推荐

    达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 全系列型号

    深圳市三佛科技有限公司介绍达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 提供样品,技术支持。 国产IBGT+FRD单管: XD005G120AY1G3应用:充电抢5A 1200V TO-252-3L
    发表于 12-19 15:03

    森国科推出全新1200V/25A IGBT

    森国科推出1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时
    的头像 发表于 12-04 16:16 419次阅读
    森国科<b class='flag-5'>推出</b>全新<b class='flag-5'>1200V</b>/25A <b class='flag-5'>IGBT</b>

    长晶科技FST3.0 IGBT新品发布

    长晶科技本次推出了FST3.0(对标国际Gen7.0) 650V1200V系列的三款IGBT单管,主要用于光伏储能等应用。
    的头像 发表于 12-02 09:36 348次阅读

    森国科650V/6A IGBT性能特点

    森国科推出650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
    的头像 发表于 11-13 16:36 482次阅读
    森国科<b class='flag-5'>650V</b>/6A <b class='flag-5'>IGBT</b>的<b class='flag-5'>性能</b>特点

    森国科推出650V/60A IGBT

    森国科近期推出650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
    的头像 发表于 10-17 15:41 373次阅读

    新洁能650V Gen.7 IGBT系列产品介绍

    新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计,大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性,为系统设计提供更大的余量。
    的头像 发表于 08-15 16:34 744次阅读
    新洁能<b class='flag-5'>650V</b> Gen.7 <b class='flag-5'>IGBT</b>系列<b class='flag-5'>产品</b>介绍

    纳微正式发布第三代快速(G3F)650V1200V碳化硅MOSFETs产品系列

      具备行业领先的温控性能,全新650V1200V碳化硅MOSFETs可低温运行和快速开关,为AI数据中心提升三倍功率并加速电动汽车充电。 加利福尼亚州托伦斯2024年6月6日讯 —GaNFast
    的头像 发表于 06-11 15:46 714次阅读

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面
    的头像 发表于 04-17 14:02 821次阅读
    纳<b class='flag-5'>芯</b>微<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>1200V</b>首款SiC MOSFET NPC060N120A系列<b class='flag-5'>产品</b>

    650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 18:01 0次下载

    650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:57 1次下载

    650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:56 1次下载

    650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:10 0次下载

    650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档

    电子发烧友网站提供《650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档.pdf》资料免费下载
    发表于 04-08 17:15 1次下载

    介绍一款用于光伏储能充电桩的50A 650V TO-247封装IGBT单管

    本次推出产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
    的头像 发表于 03-15 14:26 2.3w次阅读
    介绍一款用于光伏储能充电桩的50A <b class='flag-5'>650V</b> TO-247封装<b class='flag-5'>IGBT</b>单管

    电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

    电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Quali
    的头像 发表于 03-13 09:24 1070次阅读