LED的TEM分析

透射电子显微镜TEM在LED芯片研究中可以提供有关LED芯片结构、膜层厚度、位错缺陷等方面的详细信息。金鉴实验室具备先进的TEM设备和专业的技术团队，能够为客户提供高精度的LED芯片分析服务，确保每一项测试结果的准确性和可靠性。不同类型的芯片结构在工艺设计上有所不同，金属电极与外延各层成分分析与厚度测量常常需要通过TEM分析才能获得更加精确的信息。

电极结构是为了让电流顺利流向发光区，不同电极材料结构同样影响着芯片的光电性能，如Cr因优良的粘附性常用做与p-GaN的接触层，Al具有高反射率，增加芯片的出光量，Ti/Pt作为阻挡层防止Au扩散高活泼性的Al层，Au优良的导电性作为表层等。金鉴实验室可以针对各种电极材料进行详细的性能测试与分析，帮助客户优化其芯片设计。

一、TEM 不同扫描模式的作用

TEM线扫提供沿着一条线的元素分布信息，得到线上不同位置的元素种类和相对含量（at%和wt%），提供详细的产品结构信息，为后续工艺优化或产品结构设计提供参照。

点扫用于获取感兴趣的局部区域（或精确的某个特定位置）的元素种类和相对含量信息。

在面扫模式下，面扫可以获取整个区域的元素分布信息，直观呈现不同区域各元素的分布与扩散情况。

二、TEM 在 LED 外延结构分析中的优势

TEM因其具有非常高分辨率，在LED芯片外延结构分析上具有独到的优势。金鉴实验室拥有先进的高分辨率透射电子显微镜，能够对外延整体结构进行分析，确定P型区、有源区、N型区各层成分与厚度。

TEM有多种成像模式，可以通过不同的成像模式获取样品的不同信息，金鉴实验室利用高分辨电子显微像HRTEM，能够表征材料原子级别的形貌及结构信息，对量子阱结构厚度进行精确测量，帮助客户在技术研发中把握关键参数。

弱束暗场像WBDF常用与对外延位错的表征，分析位错类型，结合腐蚀坑密度的方法，对外延位错密度进行评估与表征。

g=0002 螺位错观察

g=11-20刃位错观察

金鉴实验室是一家专注于LED产业的第三方检测机构，致力于改善LED品质，服务LED产业链中各个环节，使LED产业健康发展。金鉴实验室拥有专业LED质量工程师团队及精密的仪器设备，通过金鉴实验室的专业测试，客户可以更有效地进行材料改进和工艺优化，为未来的技术创新打下坚实基础。