电子背散射衍射(EBSD)技术在材料科学中扮演着至关重要的角色,尤其是在扫描电子显微镜(SEM)中,它为研究者提供了一种获取材料晶体学信息的有效手段。
EBSD揭示的关键信息
1. 物相鉴定:EBSD能够对每个分析点进行物相的识别和确认,这一过程基于晶体学的差异,并可结合化学信息(如能谱仪EDS提供的数据)。
2. 晶体取向:EBSD技术能够确定每个分析点晶格的三维取向,这对于揭示材料的微观结构和宏观性能之间的联系至关重要。
EBSD技术的性能指标
EBSD技术的性能受多种因素影响,包括样品制备、SEM设备、电子束参数、EBSD探测器和软件,以及样品本身的特性。以下是EBSD技术的一些性能指标:
空间分辨率:25-200 nm(常规块样EBSD),2-20 nm(TKD)。
角度精度:0.1-0.5°(基于霍夫变换的标定),0.001-0.01°(高分辨EBSD)。
角度准确度:约2°。
分析速度:可达约4500点/秒。
EBSD提供的微观组织信息
EBSD分析通常是自动化的,能够快速从样品表面由点组成的栅格区域中采集相和取向数据。
1. 相分布:EBSD经常用于绘制样品中相的分布并测量相的面积分数。典型的输出是相分布图,以及各个相对应的面积百分比。
2. 织构分析:晶体取向数据是EBSD技术最基本的输出数据,因此它是测量织构(晶体择优取向)的理想技术。EBSD速度快,并且同时提供空间分辨的信息,因此我们能确定织构在样品中的变化。
3. 晶粒特征:EBSD取向面分布图提供了晶体学取向的空间分辨信息,从中可以推导出严格的晶粒尺寸和形状。这些信息包括晶粒大小、晶粒形状/形貌、晶粒平均取向、晶粒内部取向变化和孪晶比例。
4. 晶界特性:从EBSD的取向测量结果,还可以推导出样品晶界的详细晶体学信息。这包括晶界取向差信息、晶界旋转轴、晶界迹线(晶界面完整取向可以使用3D-EBSD测量)、特殊晶界识别(例如:孪晶或重合位置点阵晶界(CSL))和完整晶界长度统计。
5. 应变分析:EBSD分析也常用于表征和定量样品中的应变。这可以通过多种方式实现,包括局部晶格取向梯度、几何必需位错(GND)密度、晶内取向偏差、晶内取向散布和小角晶界分布。
结论
EBSD技术以其独特的能力,提供了对材料微观结构的深入理解,包括物相、晶体取向、晶粒尺寸和形状、晶界特性以及应变分布。
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