重磅 9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布

原创：CASA 第三代半导体产业技术战略联盟

2024年11月19日，在第十届国际第三代半导体论坛（IFWS）开幕式上，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称“联盟”）正式发布9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准。这一系列标准的发布，旨在为SiC MOSFET功率器件提供一套科学、合理的测试与评估方法，支撑产品性能提升，推动产业高质量发展。

李晋闽中国科学院半导体研究所原所长、研究员，中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长，半导体照明联合创新国家重点实验室主任

邱宇峰第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长

徐现刚山东大学教授

张清纯清纯半导体（宁波）有限公司董事长

饶进华为海思功率器件开发部部长

李钾东风汽车集团有限公司研发总院副总工程师

陈媛工业和信息化部电子第五研究所研究员

万玉喜深圳平湖实验室主任

共同见证9项SiC MOSFET测试与可靠性标准的发布。

在产业各界的关注和支持下，2021年起，为促进产业链协同创新发展，第三代半导体产业技术创新战略联盟持续、启动布局了SiC MOSFET功率器件阈值电压测试方法、开关动态测试方法、栅极电荷测试方法、高温栅偏试验方法、高温反偏试验方法、高压高温高湿反偏试验方法、动态栅偏试验方法、动态反偏试验方法、动态高温高湿反偏试验方法的标准制定工作。希望能够为产业技术创新寻求相对统一的产品评价方法，树立应用市场信心，支撑新兴市场开拓。

所有联盟正式发布的标准文本，访问联盟官方网站
http://www.casa-china.cn/a/casas/upload/免费下载。

T/CASAS 021—2024

SiC MOSFET阈值电压测试方法

本文件主要起草单位：中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、湖北九峰山实验室、是德科技（中国）有限公司、博测锐创半导体科技（苏州）有限公司、北京励芯泰思特测试技术有限公司、山东大学、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、西安交通大学、朝阳微电子科技股份有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、芯合半导体（合肥）有限公司、广东能芯半导体科技有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：刘奥、张国斌、柏松、黄润华、杨勇、桂明洋、迟雷、陈媛、徐申、孙钦华、李汝冠、郭清、林氦、王丹丹、孙承志、陈彦锐、何黎、崔潆心、胡惠娜、王来利、裴云庆、韩冰冰、佘超群、刘宗亮、赵高锋、赵海明、姜南、高伟。

T/CASAS 033—2024

SiC MOSFET功率器件开关动态测试方法

本文件主要起草单位：重庆大学、华润润安科技有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、杭州飞仕得科技有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、是德科技（中国）有限公司、忱芯科技（上海）有限公司、深圳麦科信科技有限公司、浙江大学、国网江苏省电力有限公司经济技术研究院、合肥工业大学、中国工程物理研究院电子工程所、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、泰克科技（中国）有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、湖北九峰山实验室、中国电力科学研究院有限公司、株洲中车时代半导体有限公司、东风汽车集团有限公司、智新半导体有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市新凯来技术有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：曾正、潘效飞、牛富丽、孙鹏、袁琰、刘伟、孙钦华、孙承志、毛赛君、张兴杰、吴新科、孙文涛、赵爽、李俊焘、张太之、孙川、佘超群、陈媛、王丹丹、杨霏、张雷、常桂钦、李钾、王民、王来利、陈刚、王晓萍、黄海涛、杜凯、林晓晨、唐浩铭、李本亮、高伟。

T/CASAS 037—2024

SiC MOSFET栅极电荷测试方法本文件主要起草单位：东南大学、工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、浙江大学、西安交通大学、智新半导体有限公司、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、是德科技（中国）有限公司、芯联集成电路制造股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：魏家行、曹钧厚、刘斯扬、孙伟锋、陈媛、毛赛君、刘惠鹏、孙博韬、王珩宇、王来利、王民、张太之、孙承志、丛茂杰、宋鑫宇、宋瑞超、孙钦华、刘海军、张雷、李钾、麦志洪、王晓萍、周紫薇、李梦亚、李本亮、高伟。

T/CASAS 042—2024

SiC MOSFET 高温栅偏试验方法

本文件主要起草单位：忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、东风汽车集团有限公司、怀柔实验室、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：毛赛君、杨书豪、陈媛、罗涛、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、林翰东、李双媛、孙博韬、李钾、王民、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、杨奉涛、张雷、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、乔良、李本亮、高伟。

T/CASAS 043—2024

SiC MOSFET 高温反偏试验方法

本文件主要起草单位：忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、东风汽车集团有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、怀柔实验室、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：毛赛君、杨书豪、陈媛、项载满、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、解锟、任志恒、李钾、王民、孙博韬、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、张彤宇、张雷、王阳、唐虎、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、李本亮、徐瑞鹏。

T/CASAS 044—2024

SiC MOSFET 高压高温高湿反偏试验方法

本文件主要起草单位：忱芯科技(上海)公司、工业和信息化部电子第五研究所、复旦大学、杭州芯迈半导体技术有限公司、浙江大学、广电计量检测集团股份有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、东风汽车集团有限公司、清纯半导体（宁波）有限公司、怀柔实验室、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、安徽长飞先进半导体股份有限公司、浙江大学绍兴研究院、西安交通大学、中国电力科学研究院有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、上海维安电子股份有限公司、上海瞻芯电子科技股份有限公司、深圳市大能创智半导体有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：毛赛君、杨书豪、陈媛、侯欣蓝、罗润鼎、陆月明、王珩宇、李汝冠、谢峰、陈志玉、孙相超、李钾、王民、孙博韬、陈中圆、王丹丹、周紫薇、刘红超、郭清、林氦、王来利、张雷、王阳、刘鹏飞、仲雪倩、谢斌、李本亮、高伟。

T/CASAS 045—2024

SiC MOSFET 动态栅偏试验方法

本文件主要起草单位：清纯半导体（宁波）有限公司、复旦大学宁波研究院、复旦大学、工业和信息化部电子第五研究所、东风汽车集团有限公司、杭州三海电子科技股份有限公司、中国科学院微电子研究所、深圳禾望电气股份有限公司、中国第一汽车集团有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、宁波达新半导体有限公司、智新半导体有限公司、常州银河世纪微电子股份有限公司、上海维安电子股份有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、中国电力科学研究院有限公司、湖北九峰山实验室、深圳平湖实验室、西安交通大学、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：孙博韬、樊嘉杰、侯欣蓝、罗润鼎、史文华、雷光寅、陈媛、左元慧、张俊然、李钾、冯海科、汤益丹、谢峰、崔丁元、于亮、刘惠鹏、袁琰、王民、张海涛、庄建军、张园览、刘鹏飞、乔良、王丹丹、万玉喜、陈刚、王来利、杨奉涛、刘宗亮、李本亮、徐瑞鹏。

T/CASAS 046—2024

SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法

本文件主要起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：陈媛、何亮、施宜军、毛赛君、陈兴欢、赵鹏、王宏跃、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、朱占山、张诗梦、李汝冠、王来利、张彤宇、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟。

T/CASAS 047—2024

SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法

本文件主要起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技（上海）有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、杭州芯迈半导体技术有限公司、中国电力科学研究院有限公司、中国第一汽车集团有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、深圳平湖实验室、江苏第三代半导体研究院有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。

本文件主要起草人：陈媛、施宜军、何亮、毛赛君、陈兴欢、王宏跃、赵鹏、蔡宗棋、张瑾、吴海平、孙博韬、丁琪超、左元慧、张俊然、李钾、王民、王丹丹、谢峰、闵晨、杨霏、刘昌、暴杰、徐思晗、李汝冠、王来利、王铁羊、刘陆川、胡浩林、李炜鸿、赵高锋、李本亮、高伟。

审核编辑 黄宇