近日,业界传出消息,MLC NAND(多层单元闪存)的产能供给将大幅削减,其中三星电子被指将调整产能。据市场传言,三星计划在2024年底现货市场停止销售MLC NAND,并可能在2025年6月全面停产该产品。
然而,三星对此传闻表示否认,并强调市场传言不实,称公司未来将持续生产MLC NAND。尽管如此,供应链业者仍指出,随着三星年底的人事大改组,产线规划可能会有所调整。
MLC NAND,全称为Multi-Level Cell,是一种通过大量电压等级来储存数据的闪存技术。与SLC(单层单元闪存)相比,MLC的每个单元可以储存两位数据,因此数据密度更高。但相应地,MLC的擦除次数相对较少,一般厂家宣称的擦除次数为3000次,远低于SLC的100000次。
尽管三星否认了停产传闻,但业界对于MLC NAND的未来仍持谨慎态度。供应链业者的观点以及三星的人事改组都可能对MLC NAND的产能和供应产生影响。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1778浏览量
114834 -
NAND
+关注
关注
16文章
1679浏览量
136055 -
MLC
+关注
关注
0文章
41浏览量
17292 -
三星
+关注
关注
1文章
1507浏览量
31138
发布评论请先 登录
相关推荐
三星MLC NAND闪存或面临停产传闻
近日,业界传出消息称,三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给,并计划在2024年底停止在现货市场销售该类产品,而到了2025年6月
三星电子计划大幅削减芯片高管职位并重组业务
近日,三星电子被曝出计划对其芯片高管职位进行大幅削减,并着手重组半导体相关业务。据相关消息称,三星电子正在对其设备解决方案(DS)部门下的内存部门进行严格的审计,该部门主要负责监管公司的半导体业务。
三星调整晶圆代工策略,聚焦NAND Flash与HBM
三星电子近期调整了其晶圆代工产能扩充计划,决定暂缓平泽P4工厂的进一步扩建,转而将重心放在NAND Flash与高频宽存储器(HBM)的生产上。这一战略调整反映了三星对当前市场需求的精
三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试
近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试
韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道,声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而,三星电子方面迅速对此消息进行了否认,表示并未收到官方确认。
三星否认HBM3E通过英伟达测试传闻
近期,有媒体报道称三星电子已成功通过英伟达(NVIDIA)的HBM3E(高带宽内存)质量测试,并预计很快将启动量产流程,以满足市场对高性能存储解决方案的迫切需求。然而,这一消息迅速遭到了三星电子的官方否认。
消息称三星客户已包下V8-NAND 2025年产能
在人工智能(AI)技术日新月异的今天,数据中心对大容量固态硬盘(SSD)的需求呈现出前所未有的增长态势。业内最新消息显示,由于NAND闪存供应可能在下半年出现短缺,三星电子的V8-NAND技术正成为市场关注的焦点。
今日看点丨曝三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%;传苹果将大砍一半产线员工
1. 传三星计划Q3 对DRAM 、NAND 涨价15%~20% ,现已通报客户 6月26日,多家媒体报道称,三星计划于第三季度把动态随机存储器(DRAM)、
发表于 06-27 11:02
•445次阅读
三星否认晶圆代工厂生产缺陷传闻
近日,韩国三星电子代工晶圆制造工厂的生产缺陷传闻在业界引起了广泛关注。有消息传出,三星在第二代3纳米工艺生产过程中,发生了高达2500批次的生产缺陷,这一规模相当于每月生产约6.5万片12英寸晶圆,预计将导致约1万亿韩元(折合人
英伟达否认三星HBM未通过测试
英伟达公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM(高带宽内存)的传闻进行了澄清。他明确表示,英伟达仍在认证三星提供的HBM内存,并否认了三星HBM
三星电子否认HBM产品未达标,多家合作公司保证质量
针对媒体报道三星电子高带宽存储(HBM)产品未达英伟达品质标准的传闻,三星予以明确否认。该报道列举了散热及功耗等问题,并称三星的HBM产品尚
三星电子NAND开工率已提高至90%
据相关业内人士21日透露,近期三星电子NAND开工率已提高至90%,此前存储行业衰退时三星开工率一度下降至60%。
三星大幅削减NAND产量至50%以下,市场供应或将受影响
该报告援引“业内人士”的话说,三星从去年年底开始缩减NAND产能,现在才开始向下游市场渗透。三星也不回避自己的战略,一位发言人表示:“我们减少NAN
发表于 04-02 11:32
•592次阅读
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就
评论