有的MOSFET电路栅源极为什么要并联稳压二极管？一文搞懂MOS Vdss，Vgss，Id，Idm参数选型

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Part 01

前言

无论任何元器件的选型，第一步都是去仔细阅读对应的datasheet，那么如何看懂datasheet就很重要，打开datasheet，哪些参数是需要重点关注的，哪些是需要参考的，这是硬件设计的基本功。今天我们的主角是MOSFET，接下来我们就分几篇文章介绍一下MOSFET选型时的重点参数关注以及讲解。

我们今天重点讲解Vdss，Vgss，Id，Idm参数。

Part 02

Vdss，Vgss，Id，Idm

datasheet中的电气参数整体分两大类，一类是极限参数，一类是额定参数，MOSFET的极限参数是其能够承受的最大值范围，超出这些值可能导致元器件性能下降、损坏甚至失效，很多厂家的规格书还会备注上，极限参数由设计保证，批量无法保证（类似于你买方便面，包装袋上写着图片仅供参考），所以我们一定要避免让器件以极限值去工作。

1.连续漏源极电流(Id）

很多刚入门的硬件工程师选MOSFET时，很关注这个参数，就像上面这个图片一样，Id最大值是100A，是不是意味着我们能拿这个MOSFET通100A的电流？当然不是，因为厂家这100A的测试条件备注了1），2）角标，也就是下面的描述，这里明确说了，这100A的最大电流和你的散热设计有关，并且只是设计值，批量出货的MOSFET不保证能通过100A。

有人会问，那100A不行，我通22A可以不？22A也是有角标的，3）的) Device on 2s2p FR4 PCB defined in accordance with JEDEC standards (JESD51-5, -7). PCB is vertical in still air.意思是说该MOSFET位于符合JEDEC标准 (JESD51-5, -7) 定义的2s2p FR4 PCB上测试的电流（PS：这个测试MOSFET的PCB尺寸一般很大（具体可参考对应标准），并且只放了这一个MOSFET，实际我们在PCBA可不会有这么奢侈），PCB在静止空气中垂直放置。

问题来了，那MOSFET到底能通多大的电流？这个问题就要基于MOSFET的导通损耗，开关损耗，以及热阻去计算了，在此不做展开，后续单独开文章说明。

所以此MOSFET的连续漏源极电流(Id）数值并没有太大的意义，大家看看得了，千万别当真（很多MOSFET的销售经常拿这个参数吹牛说自己的MOSFET多牛，读了本文，你就可以现场打脸）。

2.脉冲漏源极电流(Idm)

不同厂家叫法不一，比如上图中的，ID,pulse，指在脉冲工作模式下，MOSFET漏极与源极之间所能承受的最大瞬时电流。这一参数通常比连续漏源极电流 (Id) 大得多，但受限于持续时间和占空比（duty cycle），以避免MOSFET过热或损坏，和连续漏源极电流一样，仅供参考，别当真。

3.最大漏源电压（Vdss）

最大漏源电压 (VDSS) 表示MOSFET在关断状态下，漏极和源极之间能够承受的最大电压值，超过此电压可能导致MOSFET的击穿或损坏。这个参数是我们需要重点关注的，比如下图中MOSFET的最大漏源电压是40V，如果我们的电源电压是12-24V，我们是不是就可以高枕无忧了？当然不是，我们一定要记得，电源不是波澜不惊的，而是波涛汹涌的，电源中会由于感性负载开关，或者线束寄生电感，抑或是电源异常过压导致的高压脉冲（不同的产品会有对应的EMC测试标准，我们可以从标准里看MOSFET会遭受哪些高压脉冲）导致电源电压可能超过40V，这时候我们要在漏极放置一个TVS来保护MOSFET。

4.最大栅源电压（Vgss）

最大栅源电压 (VGSS) 表示MOSFET的栅极和源极之间能够承受的最大电压值，超过此电压可能导致MOSFET的栅极氧化层永久损坏。为了避免这个问题的发生，有时候需要在MOSFET的栅极和源极之间并联一个稳压二极管。

那为什么有的电路需要并联稳压二极管，有的不需要呢？

1.看驱动电路是否稳定：

如果你用5V，比如MCU IO口驱动MOSFET，那就不需要考虑这个问题，如果你用的是驱动器，驱动器的电源是从12电源取电，那就需要考虑这个问题了。

2.部分MOSFET驱动器有电压限制功能，那我们也能节省外部的稳压二极管。

3.有些MOSFET内部自带稳压二极管。

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原文标题：有的MOSFET电路栅源极为什么要并联稳压二极管？一文搞懂MOS Vdss，Vgss，Id，Idm参数选型

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