最新研发高速电压型多值晶体管的结构
多值逻辑运算是设计多进制电路的基础，而要进行多值逻辑运算离不开多值晶体管。本文将介绍一种电压型多值晶体管。为什么叫电压型呢？这是由于晶体管的导通电压的大小可以控制，是可以编程的。在运算电路中电压的传送速度比电流快，电场几乎以光速传播，所以电压型多值晶体管速度更快，由于只有少量电流流动，电压型多值晶体管更节能，不需要笨重的散热器。电压型多值晶体管结构如图：
电压型多值晶体管结构
在晶体管PN结两端镀上电极，用以输入，输出电压，在两电极之间，P区上方和N区上方镀上二氧化硅作为绝缘层，然后在绝缘层上镀一层金属电极作为控制电压的栅极。使用时N区上方栅极连接正极，P区上方栅极连接负极，通过控制两栅极电压大小来调节PN结内建电场电压大小，就可以控制PN结导通电压了。以上电路可以简化，把P区上方栅极移除，N区栅极直接连接在P区电极上即可，如图：
电压型多值晶体管结构
审核编辑 黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
晶体管
+关注
关注
77文章
9744浏览量
138829 -
逻辑运算
+关注
关注
0文章
57浏览量
9779
发布评论请先 登录
相关推荐
晶体管的分类与特征
。与MOSFET同样能通过栅极电压控制进行高速工作，还同时具备双极晶体管的高耐压、低导通电阻特征。工作上与MOSFET相同，通过给栅极施加电压形成通道来流过电流。
发表于 11-28 14:29
IGBT绝缘栅双极晶体管的基本结构与特点
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
发表于 03-27 06:20
IGBT绝缘栅双极晶体管
电压（与功率MOSFET的低导通电阻相当）和较快的开关特性的晶体管。尽管其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的弱点。【功率元器件的基本结构与特点
发表于 05-06 05:00
CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
CMOS晶体管,CMOS晶体管是什么意思
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管
发表于 03-05 15:22
•3799次阅读
PNP晶体管符号和结构 晶体管测试仪电路图
PNP晶体管是一种双极性晶体管，用于电子电路中放大、开关和控制电流的器件。与NPN晶体管相对应，PNP晶体管的结构特点在于其三个不同的半导体
什么是NPN型和PNP型晶体管
NPN型和PNP型晶体管是电子学中的两种基本且重要的双极型晶体管（BJT），它们在电路设计中扮演着至关重要的角色。下面将详细阐述这两种
工商网监
评论