近日,业界传出消息称,三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给,并计划在2024年底停止在现货市场销售该类产品,而到了2025年6月,MLC NAND闪存可能会正式停产。这一消息引起了业界的广泛关注。
然而,三星电子并未对这一传闻进行正面回应,反而强调市场传言不实,并表示未来将持续生产MLC NAND闪存。尽管如此,多家供应链业者仍指出,三星在年底进行的人事大改组后,产线规划很可能也会有所调整,这进一步加剧了业界对MLC NAND闪存未来命运的担忧。
MLC NAND闪存作为存储领域的重要产品之一,其产能和供应情况对于整个市场都具有重要影响。因此,三星的这一传闻无疑给市场带来了不小的波动。
目前,业界正在密切关注三星的产线规划和产能调整情况,以了解MLC NAND闪存的未来走向。同时,各相关厂商也在积极寻找替代方案,以应对可能的市场变化。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
NAND闪存
+关注
关注
2文章
223浏览量
22851 -
MLC
+关注
关注
0文章
41浏览量
17333 -
三星
+关注
关注
1文章
1605浏览量
31474
发布评论请先 登录
相关推荐
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定义与比较
NAND闪存介质为主的一种存储产品,应用于笔记本电脑、台式电脑、移动终端、服务器和数据中心等场合.
NAND闪存类型
按照每个单元可以存储的位数,可以将
发表于 01-15 18:15
三星电子削减NAND闪存产量
近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND
三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化
近日,三星电子宣布将对其在中国西安的NAND闪存工厂实施减产措施,以应对全球NAND市场供过于求的现状及预期的价格下滑趋势。据《朝鲜日报》报道,三星
【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识
NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND,到现在层数已经迈进200+层,并即将进入300+层阶段。目前,
发表于 12-17 17:34
三星减少NAND生产光刻胶使用量
近日,据相关报道,三星电子在3D NAND闪存生产领域取得了重要技术突破,成功大幅减少了光刻工艺中光刻胶的使用量。 据悉,三星已经制定了未来NAND
MLC NAND产能或遭削减?三星否认停产传闻
停产该产品。 然而,三星对此传闻表示否认,并强调市场传言不实,称公司未来将持续生产MLC NAND。尽管如此,供应链业者仍指出,随着
三星电子将出售中国工厂旧设备,含西安NAND闪存厂生产线
三星电子即将启动一项计划,将其位于中国西安的NAND闪存工厂以及其他前端和后端工艺生产线的旧设备进行销售。这些设备原本因美国政府的压力而积压,现预计将通过中国本土企业或第
三星第9代V-NAND采用钼金属布线技术
据韩国媒体最新报道,三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破,首次在“金属布线”工艺中引入了钼(Mo)技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
三星量产第九代V-NAND闪存芯片,突破最高堆叠层数纪录
三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND (3D NAND) 闪存芯片,这是继之前的236层第八代V-
三星九代V-NAND闪存或月底量产,堆叠层数将达290层
据韩媒Hankyung透露,第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层,但IT之家此前曾报道过,三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存,其IO接口速度可达3.2GB/s。
三星大幅削减NAND产量至50%以下,市场供应或将受影响
该报告援引“业内人士”的话说,三星从去年年底开始缩减NAND产能,现在才开始向下游市场渗透。三星也不回避自己的战略,一位发言人表示:“我们减少NAND产能的态度没有改变。
发表于 04-02 11:32
•650次阅读
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%
三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下
今日看点丨苹果着手开发M4芯片,采用台积电2纳米或3纳米制程升级版;三星拟与下游厂商就NAND闪存涨价谈判
1. 三星拟与下游厂商就NAND 闪存涨价谈判,目标涨价15~20% 近日,有报道称三星计划在本月至下月期间,同主要移动端、PC 端、服务器端客户就
发表于 03-14 09:48
•1193次阅读
评论