提升芯片的工作频率,无疑能够加快设备的处理速度,提升用户体验,但高频率意味着更高的功耗和更大的发热量,还可能会对设备的稳定性和寿命造成不良影响。因此,在设计芯片时,需要在提升工作频率与降低功耗和发热量之间找到一个平衡点。深圳银联宝科技的25W氮化镓快充芯片U8723AH,推荐的RSEL电阻值在1kΩ,最高频率限制220kHz;在2kΩ时,最高频率限制130kHz,一起详细了解下。
氮化镓快充芯片U8723AH复用CS管脚以设定系统最高工作频率,CS管脚连接详见规格书。芯片启动时,通过检测RSEL电阻从而决定芯片最大工作频率。设定不同的RSEL电阻值即可选择两档不同的系统工作频率上限。选档判定结束后系统锁定,每一次启动都伴随一次判定。U8723AH采用HSOP7-T3封装,脚位名称如下:
1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚。
2 FB I 系统反馈输入管脚。
3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚。
4 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚。
5 GND P 芯片参考地。
6 VDD P 芯片供电管脚。
7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚。
U8723AH
针对宽输出电压应用场合,为了满足VDD的宽电压应用需求,往往需要添加额外的电路或者辅助绕组,导致系统功耗和电路成本的增加。氮化镓快充芯片U8723AH集成了Boost供电技术,仅在SW管脚添加一颗贴片电感即可,在输出电压较低时,Boost电路启动工作,维持VDD电压在VBOOST_REG (典型值10V/10.2V),当输出电压升高,辅助绕组电压高于VBOOST_REG时,Boost电路停止工作,VDD由辅助绕组供电。
在轻载和空载状态下,当FB管脚电压低于VSKIP_IN(典型值0.4V)时,系统进入打嗝模式工作,,停止开关动作。当FB电压超过VSKIP_OUT(典型值0.5V/0.7V)时,氮化镓快充芯片U8723AH重新开始开关动作。打嗝模式降低了轻载和待机状态下的系统功耗。芯片采用了打嗝噪音优化技术,可自适应的调节打嗝VSKIP_OUT的阈值,实现噪音和纹波的最优化。
芯片工作频率作为衡量芯片性能的重要指标之一,在电子设备中发挥着至关重要的作用。然而,在追求高性能的同时,我们也需要关注其带来的能耗和散热问题,银联宝25W氮化镓快充芯片U8723AH,有利于平衡各方面的需求,是一个高效且合理的电源解决方案!
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