新品
CoolSiC MOSFET 650V G2,
7mΩ,采用TO247和TO247-4封装
![c7dbd09e-a8f3-11ef-8084-92fbcf53809c.png](https://file1.elecfans.com//web2/M00/0C/50/wKgZomdD2iKAOrNPAAFg04vDVmQ034.png)
CoolSiC MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装,以第1代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的系统设计。交流-直流、直流-直流和直流-交流电路及其组合。
产品型号:
■IMW65R007M2H
■IMZA65R007M2H
产品特点
优异的性能指标(FOM)
个位数RDS(on)
坚固耐用,整体质量高
灵活的驱动电压范围
支持单电源驱动,VGS(off)=0
避免误开通
.XT技术改进封装互联
应用价值
节省物料清单
最大限度地提高单位成本的系统性能
最高可靠性
实现最高效率和功率密度
易于使用
与现有供应商完全兼容
允许无需风扇或无散热器设计
竞争优势
开关损耗极低
标杆性栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V
栅极关断电压为0V,可抵御寄生导通
驱动电压灵活,与正负电源驱动兼容
用于硬换流的坚固体二极管
.XT互联技术可实现同类最佳的散热性能
竞争优势
光伏逆变器
储能系统
UPS
电动汽车充电
电机驱动
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7283浏览量
214498 -
封装
+关注
关注
127文章
8028浏览量
143496 -
SiC
+关注
关注
30文章
2909浏览量
63016
发布评论请先 登录
相关推荐
新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离
![<b class='flag-5'>新品</b> | 第二代 <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>G2</b>分立器件 1200 <b class='flag-5'>V</b> TO-<b class='flag-5'>247-4</b>HC高爬电距离](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET
![<b class='flag-5'>新品</b> | 750<b class='flag-5'>V</b> 8<b class='flag-5'>m</b>Ω <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b>](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
芯达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 全系列型号
汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能
![汽车<b class='flag-5'>650V</b> GaN功率级顶部冷却QFN 12x12<b class='flag-5'>封装</b>的热设计和性能](https://file.elecfans.com/web1/M00/D9/4E/pIYBAF_1ac2Ac0EEAABDkS1IP1s689.png)
英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2,提高系统功率密度
Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封装
![Navitas推出新一代<b class='flag-5'>650V</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,<b class='flag-5'>采用</b>高效TOLL<b class='flag-5'>封装</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/01/7E/wKgaomawRhGAMY0jAADmHBGMhDU724.png)
新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F
![<b class='flag-5'>新品</b> | <b class='flag-5'>650V</b>高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/DB/pYYBAGJqOMiAUmBUAAAUKS9OY54015.jpg)
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V
![英飞凌推出<b class='flag-5'>采用</b>TO-<b class='flag-5'>247PLUS-4</b>-HCC<b class='flag-5'>封装</b>的全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 2000<b class='flag-5'>V</b>](https://file1.elecfans.com/web2/M00/E8/AA/wKgZomZP-CGAFIwSAAA1YofPKI4188.png)
英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点
英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品
扬杰科技推出50A 650V TO-247封装IGBT单管
英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
![英飞凌推出全新<b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ <b class='flag-5'>MOSFET</b> 2000 <b class='flag-5'>V</b>, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C4/49/wKgZomXyaj2AQRW_AANHhnXY7fU563.png)
评论