扬杰科技推出全新SiC MOSFET产品
新品发布
产品介绍
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统
产品特点
1.耐高温特性，工作温度（175°C)，出色的散热性能，有着优异的温升表现，提高了产品的可靠性；
2.低的封装电阻，低的寄生电感，出色的EMI表现；并且有着KS源极，开关速度快，损耗低，适用于高压，高频的应用条件；
3.电路板空间占用小，更适合高功率密度应用场合。
电性参数
更多产品请详见官网
典型应用
光伏逆变
充电桩
电源
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
148文章
7690浏览量
216057 -
SiC
+关注
关注
30文章
3028浏览量
63665 -
充电桩
+关注
关注
149文章
2483浏览量
85959 -
扬杰科技
+关注
关注
1文章
100浏览量
10889
原文标题：新品发布——用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET
文章出处：【微信号：yangjie-300373，微信公众号：扬杰科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
扬杰科技联合举办SiC和IGBT功率产品合作交流会
近日，由扬州市集成电路产业链、扬州扬杰电子科技股份有限公司联合举办的“扬帆起航 共赢未来”SiC、IGBT功率产品合作交流会在扬州隆重举行。
SiC MOSFET的参数特性
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC MOSFET的主要参数特
国产SiC MOSFET，正在崛起
MOSFET发展飞速，诞生了众多产品，同时陆续过车规，让人眼花缭乱。所以我们邀请到了众多工程师，分享自己曾经接触过，或者从其他厂商中听到过的SiC产品，并且分享自己对于
扬杰科技荣获2024年行家极光奖“中国SiC IDM十强企业”
近日，“2024行家极光奖”颁奖典礼在深圳成功举办。扬杰科技有幸入选十强企业榜单，获得“中国SiC IDM十强”奖项，与数百家SiC&GaN企业代表一起共同见证第三代半导体产业的新风采
扬杰科技全资子公司MCC（越南）工厂正式通线
近日，喜讯传来，扬杰科技全资子公司MCC（越南）工厂正式步入通线阶段。这一里程碑式的成就标志着扬杰科技在积极开拓国际市场、加速全球化进程上迈出了坚实的一步。
扬杰科技发布用于PC主板的PDFN5060 N30V Mosfets
近日，扬杰科技推出了专为PC主板应用设计的High-side+Low-side PDFN5060 N30V Mosfets。该产品采用了先进的SGT技术，具有出色的电气性能。
SiC MOSFET和SiC SBD的区别
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具有广泛的应用。尽
车载用SiC MOSFET又增10个型号，业界丰富的产品阵容！
ROHM面向xEV车载充电器和DC/DC转换器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 关键词 】 满足汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101
扬杰科技发布高效SJ MOSFET，赋能新能源市场
在新能源市场迅猛发展的浪潮中，功率器件作为电力电子变换系统的核心部件，其能效和封装性能的提升显得尤为重要。为了满足市场对高性能功率器件的迫切需求，扬杰科技近日隆重推出了一系列新型SJ MOSF
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）
英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术
英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的 CoolSiC™
英飞凌技术公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品
随着英飞凌技术公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品，电机驱动应用领域得到了显著的推进。
工商网监
评论