森国科推出的1200V/25A IGBT(选型:KG025N120LD-R)适用于逆变焊机、不间断电源和电磁加热器等方面。新款IGBT的鲁棒性和耐用性极强,当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应,短路时间极短,仅5μs,最大工作结温扩大到175℃,有助于延长产品的使用寿命。
IGBT芯片的沟槽栅场截止技术,进一步减小了正向导通时饱和压降值,优化了器件开关性能,在提高性能同时可使芯片做的更薄,有利于满足逆变频率高达20~30kHz的情况下,控制变压器体积,更便于运输搬运。
性能特点
最大结温:TJ =175°C
低集电极发射极饱和电压
易于并联使用
VCE(sat)正温度系数
低热阻
高鲁棒性
竞争优势
软开关能力
高效率
适用于高电压、大电流应用
应用领域
电焊机
不间断电源
电磁加热器
最大额定数值
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块,功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT,功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区,在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%,研究生以上学历占比50%,来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构,囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。
森国科碳化硅产品线为650V和1200V 碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块,该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆,具有高耐温,高频,高效,高压特性,已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。
森国科功率IC采用先进的高压特色工艺,包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展,该产品线的团队在BCD工艺,UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片,已经大规模量产中低压系列,即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面,已经推出单相BLDC散热风扇电机系列和三相BLDC电机驱动系列。
森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下,以低成本创新为己任,努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力,成为全球领先的功率半导体公司!
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原文标题:新品速递 | 1200V/25A IGBT助力逆变焊机轻量设计、高效应用!
文章出处:【微信号:SGKS2016,微信公众号:森国科】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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