怎么制备半导体晶圆片切割刃料？

半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程，以下是一种典型的制备方法：

一、原料准备

首先，需要准备高纯度的原料，如绿碳化硅和黑碳化硅。这些原料具有高硬度、高耐磨性和高化学稳定性，是制备切割刃料的理想选择。

二、破碎与筛分

颚式破碎：将原料放入颚式破碎机中进行初步破碎，得到一定粒度的颗粒。

筛分：通过筛分设备将破碎后的颗粒进行分级，筛选出符合要求的粒度范围。

三、湿法球磨分级

将筛分后的颗粒放入湿法球磨机中进行进一步粉碎和分级。湿法球磨机采用湿式研磨方式，通过研磨介质（如球磨珠）和研磨液的共同作用，将颗粒粉碎成更细小的粒子，并通过分级设备将粒子按照粒度大小进行分离。

四、酸洗

将分级后的粒子进行酸洗处理，以去除表面的杂质和污染物。酸洗过程中需要控制酸液的浓度、温度和反应时间，以确保粒子的质量和稳定性。

五、溢流分级与浓缩脱水

溢流分级：通过溢流分级设备将酸洗后的粒子进行更精细的分级，得到符合切割刃料要求的粒度分布。

浓缩脱水：将分级后的粒子进行浓缩脱水处理，以去除多余的水分和研磨液，得到干燥的粒子。

高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，传统上下双探头对射扫描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片，一次性测量所有平面度及厚度参数。

1,灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。

重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测）

粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆）

低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比）

绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多 层 结 构，厚 度 可 从μm级到数百μm 级不等。

可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至 4 μm ，精度可达1nm。

可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，一改过去传统晶圆测量对于“主动式减震平台”的重度依赖，成本显著降低。

2，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。