高台阶基底晶圆贴蜡方法

高台阶基底晶圆贴蜡方法是半导体制造中的一个关键步骤，特别是在处理具有高阶台金属结构的晶圆时。以下是一种有效的高台阶基底晶圆贴蜡方法：

一、方法概述

该方法利用胶厚和蜡厚将高台阶填平，并使用较轻的物理压力以及抽真空技术来确保晶圆与陶瓷盘之间的紧密贴合。此方法不仅有效避免高台阶金属被压碎，还能保证晶圆片内厚度偏差（TTV）值在可接受范围内。

二、具体步骤

匀胶处理：

使用匀胶机对晶圆进行二次匀胶。匀胶机设定转速为1500r/min，首先进行第一层匀胶，时间为3分钟，匀胶结束后对晶圆进行烘干。

再次将晶圆放置在匀胶机内，在相同转速下进行第二层匀胶，时间为2分钟。

厚度测量与去边胶：

使用高度测量仪测量匀胶后的晶圆背面厚度。

对高出的区域进行去边胶处理，以确保晶圆背面厚度保持平整。

涂蜡与晶圆粘接：

在加热至80°C的陶瓷盘上预涂工业蜡。

将晶圆通过预涂的工业蜡粘接在陶瓷盘上。

施加物理压力与抽真空：

在晶圆上覆盖一层直径大于晶圆直径的无尘纸。

在无尘纸上放置一个加压重物（如陶瓷盘），施加较轻的物理压力。

使用抽真空装置（包括真空泵、气管和真空罩）对晶圆进行抽真空处理，时间为5分钟。

冷却与检验：

抽真空完成后，取出物件并自然冷却。

去除加压重物和无尘纸，用酒精清除晶圆背面的蜡渍。

使用测量仪器对晶圆进行测厚检验，确保晶圆片内厚度偏差小于15um。

三、注意事项

工艺参数控制：在匀胶、涂蜡、抽真空等步骤中，要严格控制各项工艺参数，以确保加工质量和稳定性。

设备维护：定期对匀胶机、测量仪器、抽真空装置等设备进行维护和保养，确保设备的精度和可靠性。

环境要求：在加工过程中，要保持工作环境的清洁和稳定，避免灰尘、振动等因素对加工质量的影响。

四、方法优势

低成本：该方法采用低成本及简单的物理方式进行贴蜡，降低了生产成本。

高效性：通过匀胶、涂蜡、抽真空等步骤的协同作用，实现了晶圆与陶瓷盘之间的紧密贴合，提高了加工效率。

高质量：该方法有效避免了高台阶金属被压碎的问题，并能保证晶圆片内厚度偏差（TTV）值在可接受范围内，从而提高了产品质量。

综上所述，这种高台阶基底晶圆贴蜡方法具有低成本、高效性和高质量的优势，适用于半导体制造中需要处理高台阶金属结构的晶圆。

五、高通量晶圆测厚系统

高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数，STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。

高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，传统上下双探头对射扫描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片，一次性测量所有平面度及厚度参数。

1,灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺 P 型硅 (P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。

重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测）

粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆）

低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比）

绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm 级不等。

可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm ，精度可达1nm。

1，可调谐扫频激光的“温漂”处理能力，体现在极端工作环境中抗干扰能力强，一改过去传统晶圆测量对于“主动式减震平台”的重度依赖，成本显著降低。

2，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。