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射频电源的功率与频率对刻蚀结果的影响

中科院半导体所 来源:Tom聊芯片智造 2024-12-18 11:52 次阅读

本文介绍了射频电源的功率与频率对刻蚀结果的影响。

干法刻蚀中,射频电源的功率与频率对刻蚀结果都有哪些影响?

什么是RF的功率与频率?

RF功率(RF Power),是指射频电源提供给等离子体系统的能量大小,用于等离子体的产生和稳定,通常以瓦特(W)为单位。

RF频率(RF Frequency),是指射频电场的振荡频率,通常以赫兹(Hz)为单位。常用的频率有13.56MHz,2.45GHz,27MHz,60MHz,2MHz等。

功率一定时,频率越高,等离子体密度越高,离子的能量越低。

频率对刻蚀的影响?

1,等离子体空间分布的均匀性

高频电场振荡更快,电子在一个周期内被电场加速的时间更短,因此电子能量集中在较窄的范围内,分布更均匀。

2,离子能量的分布

低频RF,如2 MHz,离子能量分布较宽,不集中。

高频RF,离子能量更集中。

3,等离子体的密度:高频RF生成更高密度的等离子体

4,等离子体中化学反应的主导性

高频RF,更多的自由基生成,促进化学刻蚀。

低频RF,可增强物理刻蚀。

5,刻蚀的选择性

高频RF,可提高刻蚀的化学选择性。低频RF,由于离子轰击较强,会导致选择性下降。


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原文标题:射频电源的频率对刻蚀有什么影响?

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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