仿真Vos电路

(1)TINA中的仿真

文献[1]中，仿真Vos的电路架构是这样的。

之所以加了Vcm和Vload，并都设置成2.5V，是因为手册上的测试条件是这样子的。

供电电压和输入共模电压的变化，会影响输入失调电压Vos，所以在仿真Vos的时候，最好设置成和测试条件一致。

从TI官网上下载Tina，然后建立如上的原理图，并从Tina软件中选择OPA350模型，但是出来的结果，并不如PPT上所示，连量级也不一样。

第一反应，是不是电路中的某些参数设置错了，但是每个器件点进去看，好像也没什么好设置的。从Tina中调入LM358，出来的结果还凑合。

第二反应，是不是模型不对？于是想从官网上OPA350的页面下载一下模型。正好下载页面中还有reference design，就想着多一事不如少一事，就直接把reference design下载下来，把模型拷过来，省去导入模型的那一步（因为暂时还不知道怎么导入模型）。

虽说数据没有完全和PPT上对应，但是量级基本上是对应上了。

大概看了一下，原来TINA中调入进来的OPA350的spice文件，模型是1999年更新的，貌似，没有把Vos建模进来。

又看了一下从官网上下载下来的，模型更新于2021年，模型中明确说明，对Vos进行了建模。

虽说量级一样，但是原理图仿真出来的值(127uV)，PPT上的值(-150uV)，以及模型中设置的值(-95.6uV)，都不一样，唉，惆怅！

(b)芯片级仿真

那不一样就不一样吧，先凑合着。

想着用同样的方式，仿真一下出来的五管运放的Vos。

看资料说，需要把库文件设置成.mc，然后可以仿真出Vos。

我就想着，那如果不设置成.mc，不考虑管子之间加工时带来的不匹配误差，出来的Vos是不是应该等于0？

从仿真结果看，Vos是2.84mV，不是0。

咨询号友，号友给的回答，在我脑子里，还没形成闭环。

参考文献：

[1]https://www.ti.com/content/dam/videos/external-videos/en-us/1/3816841626001/4082104055001.mp4/subassets/opamps-offset-voltage-input-bias-specifications-presentation-quiz.pdf