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美光发布HBM4与HBM4E项目新进展

科技绿洲 来源:网络整理 作者:网络整理 2024-12-23 14:20 次阅读

近日,据报道,全球知名半导体公司美光科技发布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高带宽内存)和HBM4E项目的最新研发进展。

据悉,美光科技的下一代HBM4内存将采用2048位接口,这一技术革新将大幅提升数据传输速度和存储效率。美光计划于2026年开始大规模生产HBM4,以满足日益增长的高性能计算需求。

除了HBM4,美光还透露了HBM4E的研发计划。HBM4E作为HBM4的升级版,不仅将提供更高的数据传输速度,还将具备根据需求定制基础芯片的能力。这一创新将为用户带来更加灵活和高效的存储解决方案,有望推动整个内存行业的发展。

美光科技的HBM4和HBM4E项目是其持续致力于内存技术创新的体现。随着数据中心的规模不断扩大和人工智能技术的快速发展,高性能内存的需求日益增长。美光通过不断研发新技术,为全球用户提供更加高效、可靠的存储解决方案,助力科技进步和社会发展。

未来,美光科技将继续加大研发投入,推动HBM4和HBM4E等先进内存技术的广泛应用,为数字经济的蓬勃发展贡献力量。

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