日前,长飞先进武汉基地项目首批设备正式搬入。
长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,总投资预计超过200亿元,其中项目一期总投资80亿元,规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
对于半导体行业而言,厂房建设一般主要分为四个阶段:设备选型、设备搬入、工艺验证及产品通线。
2023年8月25日,长飞先进半导体第三代半导体功率器件研发生产基地落户武汉新城;7天后,项目正式启动建设。今年6月,主体结构全面封顶。从打下第一根桩到实现结构封顶,厂房建设耗时不到10个月,创造了百亿级投资项目建设新速度。
本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节,包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等,将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。
JINGYANG
晶扬电子 | 电路与系统保护专家
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审核编辑 黄宇
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